Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Сенсибилизация излучения и механизмы миграции электронных возбуждений в структурах на основе III-нитридов, легированных редкоземельными элементами (Eu, Er, Sm)

Мездрогина М.М.¹, Даниловский Э.Ю.¹, Кузьмин Р.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 16 июля 2009 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовалось влияние введения редкоземельных ионов Eu, Er, Sm на вид спектра люминесценции гетероструктур с квантовыми ямами GaN/In_xGa_1-xN (0.1<x<0.4), а также переходов p-GaN<Mg>/n-GaN и p-AlGaN/n-GaN. Результаты измерений электролюминесценции структур коррелируют с полученными ранее данными по фотолюминесценции и мёссбауэровской спектроскопии. Показано, что в структурах с несколькими квантовыми ямами GaN/InGaN, легированных Eu и Sm, важную роль в процессах возбуждения внутрицентровых состояний играет "желтая" (5000-6000 Angstrem) полоса GaN. Причем Eu, по всей видимости, является сенсибилизатором для Sm. Дополнительное введение 3d-металла (Fe⁵⁷) в p-GaN<Mg>/n-GaN : Eu привело к реализации внутрицентровых переходов в Eu³⁺: ⁵D₀->⁷F₁ (6006 Angstrem), ⁵D₀->⁷F₂ (6195 Angstrem), ⁵D₀->⁷F₃ (6627 Angstrem), ⁵D₁->⁷F₄ (6327 Angstrem) вследствие появления новых эффективных каналов передачи возбуждения к внутрицентровым состояниям и к влиянию Fe на локальное окружение редкоземельных ионов, в том числе за счет усиления f-d-гибридизации.

J.M. Zavada. Appl. Phys. Lett., 84, 1061 (2004)
Т.В. Безъязычная, М.В. Богданович, Л.И. Буров, А.С. Горбацевич, А.Г. Рябцев, Г.И. Рябцев, М.А. Щемелев, Г.Т. Микаелян, С.Н. Соколов. Тез. докл. симп. "Полупроводниковые лазеры: физика и технология" (СПб., Россия, 2008) с. 22
М.М. Мездрогина, В.В. Криволапчук, В.Н. Петров, С.Н. Родин, А.В. Черняков. ФТП, 40 (12), 1412 (2006)
J.X. Meng, K.W. Cheah, Zh.P. Shi, J.Q. Li. Appl. Phys. Lett., 91, 151 107 (2007)
R. Wang, A.J. Steckl, E.E. Brown, U. Hommerich, J.M. Zavada. J. Appl. Phys., 105, 043 107 (2009)
L. Bodiou, A. Braud, J.-L. Doualan, R. Moncorge, J.H. Park, C. Munasinghe, A.J. Steckl, K. Lorenz, E. Alves, B. Daudin. J. Appl. Phys., 105, 043 104 (2009)
T. Andreev, E. Monroy, B. Gayral, B. Daudin, N.Q. Liem, Y. Hori, M. Tanaka, O. Oda, Daniel L.S. Dang. Appl. Phys. Lett., 87, 021 906 (2005)
В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, Ю.В. Кожанова. ФТП, 42 (2), 157 (2008)
A.C. Aten, J.H. Haanstra, H. de Vries. Phil. Res. Rep., 20, 395 (1965)
D.G. Thomas. J. Phys. Soc. Jpn., 21, 265 (1966)
H.J. Lozykowski. Phys. Rev. B, 48, 17 758 (1993)
М.М. Мездрогина, В.В. Криволапчук, В.Н. Петров, Ю.В. Кожанова, Э.Ю. Даниловский, Р.В. Кузьмин. ФТП, 43 (4), 467 (2009)
В.В. Криволапчук, В.В. Лундин, М.М. Мездрогина, А.В. Насонов, С.Н. Родин, Н.М. Шмидт. ФТТ, 46 (5), 814 (2004)
В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, А.В. Насонов, С.Н. Родин. ФТТ, 45 (9), 1556 (2003)
J.-S. Filhol, R. Jones, M.J. Shaw, P.R. Briddon. Appl. Phys. Lett., 84 (15), 2841 (2004)
V. Thiel, H. Cruguel, H. Wu, Y. Sun, G.J. Lapeyre, P.L. Cone, R.W. Equal, P.M. Macfarlane. Phys. Rev. B, 64, 085 107 (2001)
J. Heikenfeld, D.S. Lee, M. Garter, R. Birkhahn, A.J. Steckl. Appl. Phys. Lett., 76 (11), 1365 (2000)
J. Neugebauer, C. Van De Walle. Phys. Lett. B, 69 (4), 503 (1996)
M. Toth, K. Fleischer, M. Philips. Phys. Rev. B, 59 (30), 1575 (1999)
U. Kaufmann, M. Kunzer, H. Obloh, M. Maier, Gh. Manz, A. Ramakrishnan, B. Santic. Phys. Rev. B, 59 (8), 5561 (2000)
C.W. Lee, H.O. Everitta, D.S. Lee, A.J. Steckl, J.M. Zavada. J. Appl. Phys., 95 (12), 7717 (2004)
G.H. Dieke. Spectra and Energy Levels of Rare Earth Ions in Crystals (John Wiley \& Sons Inc., N.Y., 1969)
М.М. Мездрогина, В.В. Криволапчук, Ю.В. Кожанова, Э.Ю. Даниловский, Р.В. Кузьмин. Тез. докл. VI Межд. науч. сем. "Карбид кремния и родственные материалы" (Великий Новгород, Россия, 2009) с. 53
T. Andreev, N.Q. Liem, Y. Hori, M. Tanaka, O. Oda, Daniel L.S. Dang, B. Daudin. Phys. Rev. B, 73, 195 203 (2006)
Y. Kwon, Young-Hwan, Sk. Shee, Gh. Gainer, Gh. Park, Sj. Hwang, J. Song. Appl. Phys. Lett., 76 (7), 840 (2000)
S. Kim, S.J. Rhee, X. Li, J.J. Coleman, S.G. Bishop, P.B. Klein. Appl. Phys. Lett., 76, 2403 (2000)
B.A. Wilson, W.M. Yen, J. Hagarty, G.F. Imbusch. Phys. Rev. B, 19, 4238 (1979)
М.И. Гайдук, В.Ф. Золин, Л.С. Гайгерова. Спектры люминесценции европия (М., Наука, 1974)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель