Вышедшие номера
Наблюдение локализованных центров с аномальным поведением в светоизлучающих гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN
Кучерова О.В.1, Зубков В.И.1, Соломонов А.В.1, Давыдов Д.В.2,3
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3ЗАО "Светлана-Оптоэлектроника", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 июля 2009 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2010 г.

Впервые с помощью комплекса адмиттансной спектроскопии в широком интервале температур 6-300 K исследовались светоизлучающие гетероструктуры с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN. В спектрах проводимости обнаружены три пика, соответствующие эмиссии носителей заряда из квантовых ям и из точечных дефектов, распределенных в объеме полупроводника. Два низкотемпературных пика обладают аномальным поведением: пик с малым значением наблюдаемой энергии активации (17 мэВ) оказывается смещенным в область больших температур по сравнению с более высокоэнергетичным пиком (30 мэВ). Последний ассоциируется с объемным дефектом, имеющим аномально большое сечение захвата sigman=1.5·10-11 см2.