Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Наблюдение локализованных центров с аномальным поведением в светоизлучающих гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3ЗАО "Светлана-Оптоэлектроника", Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3ЗАО "Светлана-Оптоэлектроника", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 июля 2009 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2010 г.
Впервые с помощью комплекса адмиттансной спектроскопии в широком интервале температур 6-300 K исследовались светоизлучающие гетероструктуры с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN. В спектрах проводимости обнаружены три пика, соответствующие эмиссии носителей заряда из квантовых ям и из точечных дефектов, распределенных в объеме полупроводника. Два низкотемпературных пика обладают аномальным поведением: пик с малым значением наблюдаемой энергии активации (17 мэВ) оказывается смещенным в область больших температур по сравнению с более высокоэнергетичным пиком (30 мэВ). Последний ассоциируется с объемным дефектом, имеющим аномально большое сечение захвата sigman=1.5·10-11 см2.
- S.C. Jain, M. Willander, J. Narayan, R. Van Overstraeten. J. Appl. Phys., 87, 965 (2000)
- В.И. Зубков. Диагностика полупроводниковых наногетероструктур методами спектроскопии адмиттанса (СПб., Элмор, 2007)
- J.J. Wierer, D.A. Steigerwald, M.R. Krames, J.J. O'Shea, M.J. Ludowise, G. Christenson, Y.-C. Shen, C. Lowery, P.S. Martin, S. Subramanya, W. Gotz, N.F. Gardner, R.S. Kern, S.A. Stockman. Appl. Phys. Lett., 78, 3379 (2001)
- Д.А. Закгейм, И.П. Смирнова, И.В. Рожановский, С.А. Гуревич, М.М. Кулагина, Е.М. Аракчеева, Г.А. Онушкин, А.Л. Закгейм, Е.Д. Васильева, Г.В. Иткинсон. ФТП, 39, 886 (2005)
- О.В. Кучерова, В.И. Зубков, Е.О. Цвелев, А.В. Соломонов. Тез. докл. 6-й Всеросс. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы" (СПб., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, 2008) с. 181
- О.В. Кучерова, В.И. Зубков. Тез. докл. 3-й Всеросс. конф. по наноматериалам НАНО 2009. Екатеринбург, 20-24 апреля 2009 г. (Екатеринбург, Уральское изд-во, 2009) с. 566
- В.И. Зубков. ФТП, 41 (3), 331 (2007)
- D.V. Singh, K. Rim, T.O. Mitchell, J.L. Hoyt, J.F. Gibbons. J. Appl. Phys., 85, 985 (1999)
- D.J. Kim. J. Appl. Phys., 88, 1929 (2000)
- K. Schmalz, I.N. Yassievich, H. Rucker, H.G. Grimmeiss, H. Frankenfeld, W. Mehr, H.J. Osten, P. Schley, H.P. Zeindl. Phys. Rev. B, 50, 14 287 (1994)
- В.И. Зубков, Ким Ха Ен, А.А. Копылов, А.В. Соломонов. ФТП, 25, 2163 (1991)
- А.В. Соломонов. Емкостная спектроскопия полупроводниковых твердых растворов (СПб., Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2000)
- M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M. Shur. Properties of advanced semiconuctors materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe (Wiley-IEEE, 2001)
- W. Gotz, N.M. Johnson, C. Chen, C. Chen, H. Liu, C. Kuo, W. Imler. Appl. Phys. Lett., 68, 3144 (1996)
- C.M.A. Kapteyn, F. Heinrichsdorff, O. Stier, R. Heitz, M. Grundmann, N.D. Zakharov, D. Bimberg, P. Werner. Phys. Rev. B, 60 14 265 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
