Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2010, выпуск 3 » Статья стр. 422
<<<
Напряженные структуры GaAsSb/GaAs с квантовыми ямами для лазеров диапазона 1.3 мкм
Садофьев Ю.Г.1, Samal N.1, Андреев Б.А.2, Гавриленко В.И.2, Морозов С.В.2, Спиваков А.Г.2, Яблонский А.Н.2
1Trion Technology, Tempe AZ, USA
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 15 июля 2009 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2010 г.
PDF версия
Найдены оптимальные режимы роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур GaAs1-xSbx/GaAs и показано, что за счет увеличения встраивания сурьмы эффективная длинноволновая фотолюминесцения при T=300 K может быть получена вплоть до lambda=1.3 мкм. С ростом мощности возбуждения, кроме характерного для гетероперехода II рода коротковолнового сдвига максимума интенсивности фотолюминесценции, обнаружено возникновение коротковолновой линии, связываемой с прямыми в реальном пространстве оптическими переходами, что подтверждается результатами исследования спектров фотолюминесценции с субпико- и наносекундным временным разрешением при импульсном возбуждении.
  1. T. Anan, M. Yamada, K. Tokutome, S. Sugou, K. Nishi, A. Kamei. Electron. Lett., 35, 903 (1999)
  2. P. Dowd, S.R. Johnson, S.A. Feld, M. Adamcyk, S.A. Chaparro, J. Joseph, K. Hilgers, M.P. Horning, K. Shiralagi, Y.-H. Zhang. Appl. Electron. Lett., 39, 987 (2003)
  3. I. Vurgaftman, J.R. Meiyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
  4. J.R. Pesetto, G.B. Stringfellow. J. Cryst. Growth, 62, 1 (1983)
  5. C.A. Chang, R. Ludeke, L.L. Chang, L. Edaki. Appl. Phys. Lett., 31, 759 (1977)
  6. H. Chiu, W.T. Tsang, S.N.G. Chu, J. Shan, J.A. Ditzenberger. Appl. Phys. Lett., 46, 408 (1985)
  7. G.B. Stringfellow. J. Electron. Mater., 11, 903 (1982)
  8. R. Teisier, D. Sicault, J.C. Harmand, G. Ungaro, G. Le Roux, L. Largeau. J. Appl. Phys., 89, 5473 (2001)
  9. M. Dinu, J.E. Cunningham, F. Quochi, J. Shah. J. Appl. Phys., 94, 1506 (2003)
  10. M. Peter, K. Winkler, M. Maier, H. Herres, J. Wagner, D. Fekete, K.H. Bahem, D. Richards. Appl. Phys. Lett., 67, 2639 (1995)
  11. G. Liu, S.-L. Chuang, S.-H. Park. J. Appl. Phys., 88, 5554 (2000)
  12. S.R. Johnson, C.Z. Guo, S. Chaparro, Yu.G. Sadofyev, J. Wang, Y. Cao, N. Samal, J. Xu, S.Q. Yu, D. Ding, Y.-H. Zhang. J. Cryst. Growth, 251, 521 (2003)
  13. J.-B. Wang, S.R. Johnson, S. Chaparro, D. Ding, Y. Cao, Yu.G. Sadofyev, Y.-H. Zhang, J.A. Gupta, C.Z. Guo. Phys. Rev. B, 70, 195 339 (2004)
  14. A.D. Prins, D.J. Dunstan, J.D. Lambkin, E.P. O'Reily, A.B. Adams, R. Pritchard, W.S. Truscott, K.E. Singer. Phys. Rev. B, 47, 2191 (1993)
  15. S.R. Johnson, S. Chaparro, J. Wang, N. Damal, Y. Cao, Z.B. Chen, J. Xu, S.Q. Yu, D.J. Smith, C.-Z. Guo, P. Dowd, W. Braun, Y.-H. Zhang. J. Vac. Technol. B, 19, 1501 (2001)
  16. G. Blume, T.J.C. Hosea, S.J. Sweeney, S.R. Johnson, J.-B. Wang, Y.H. Zhang. IEE Proc.: Optoelectronics, 152, 110 (2005)
  17. Y.S. Chiu, M.H. Ya, W.S. Su, Y.F. Chen. J. Appl. Phys., 92, 5810 (2002)
  18. W. Braun, P. Dowd, C.-Z. Guo, S.-L. Chen, C.M. Ryu, U. Koelle, S.R. Johnson, Y.-H. Zhang, J.W. Tomm, T. Elsasser, D.J. Smith. J. Appl. Phys., 88, 3004 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme