Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Взаимодействие примеси меди с радиационными дефектами в легированном бором кремнии

Ярыкин Н.А.¹, Weber J.²

¹Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

²Technische Universitat Dresden, Dresden, Germany Technische Universität Dresden, Dresden, Germany

Поступила в редакцию: 2 февраля 2010 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2010 г.

PDF версия

Изучается спектр глубоких уровней, формирующихся в легированных бором монокристаллах кремния, выращенных методом Чохральского, в результате взаимодействия радиационных дефектов и примеси меди. Показано, что, независимо от порядка введения дефектов (как при низкотемпературной диффузии меди в предварительно облученные электронами кристаллы, так и при облучении загрязненных медью образцов), возникает один и тот же набор глубоких уровней. В дополнение к обычным радиационным дефектам в медьсодержащих кристаллах выявлены три уровня. Это уже упоминавшийся в литературе центр E_v+0.49 эВ, а также ранее не связываемые с медью уровень E_v+0.51 эВ и уровень, близкий к донорному уровню дивакансии. На основе анализа концентрационных профилей межузельная пара углерод-кислород исключена из возможных прекурсоров медьсодержащего центра E_v+0.49 эВ.

K. Graff. Metal impurities in silicon-device fabrication (Berlin, Springer, 1995)
A.A. Istratov, E.R. Weber. Appl. Phys. A, 66, 123 (1998)
S.J. Pearton, A.J. Tavendale. J. Appl. Phys., 54, 1375 (1983)
B.G. Svensson, M.O. Aboelfotoh, J.L. Lindstrom. Phys. Rev. Lett., 66, 3028 (1991)
S. Tamulevicius, B.G. Svensson, M.O. Aboelfotoh, A. Hallen. J. Appl. Phys., 71, 4212 (1992)
M.O. Aboelfotoh, B.G. Svensson. Phys. Rev. B, 52, 2522 (1995)
S.K. Estreicher. Phys. Rev. B, 60, 5375 (1999)
D. West, S.K. Estreicher, S. Knack, J. Weber. Phys. Rev. B, 68, 035 210 (2003)
V.P. Markevich, A.R. Peaker, I.F. Medvedeva, V. Gusakov, L.I. Murin, B.G. Svensson. Sol. St. Phenomena, 131--133, 363 (2008)
A.A. Istratov, E.R. Weber. J. Electrochem. Soc., 149, G21 (2002)
О.В. Феклисова, Н.А. Ярыкин, Е.Б. Якимов, Й. Вебер. ФТП, 35, 1417 (2001)
O.V. Feklisova, N. Yarykin, E.B. Yakimov, J. Weber. Physica B, 308--310, 210 (2001)
L.I. Khirunenko, Yu.V. Pomozov, N.A. Tripachko, M.G. Sosnin, A. Duvanskii, L.I. Murin, J.L. Lindstrom, S.B. Lastovskii, L.F. Makarenko, V.P. Markevich, A.R. Peaker. Sol. St. Phenomena, 108--109, 261 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель