Вышедшие номера
Рассеяние электронов на акцепторных центрах в p-Ag2Te при низких температурах
Алиев Ф.Ф.1, Джафаров М.Б.1, Аскерова Г.З.1, Годжаев Э.М.2
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Азербайджанский технический университет, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 2 февраля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2010 г.

Наблюдалось резонансное рассеяние электронов в p-Ag2Te при концентрациях акцепторов Na=<q 4.2·1016 см-3 в интервале температур ~50-80 K. Проведен расчет вклада резонансного рассеяния в температурные зависимости электропроводности sigma(T) и термоэдс alpha0(T). Показано, что вклад резонансного рассеяния электронов в зависимостях sigma(T) и alpha0(T) больше, чем рассеяние носителей заряда на акустических фононах.