Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Туннельно-инжекционные структуры InGaAs с наномостиками: перенос возбуждения и кинетика люминесценции
1Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия 
2Martin--Luther--Universitat, ZIK "SiLi-nano", Halle, Deutschland
3Max--Born--Institut fur Nichtlineare Optik und Kurzzeitspektroskopie, Berlin, Deutschland
4Max--Planck--Institut fur Mikrostrukturphysik, Halle (Saale), Deutschland
5Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Martin--Luther--Universitat, ZIK "SiLi-nano", Halle, Deutschland
3Max--Born--Institut fur Nichtlineare Optik und Kurzzeitspektroskopie, Berlin, Deutschland
4Max--Planck--Institut fur Mikrostrukturphysik, Halle (Saale), Deutschland
5Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 декабря 2009 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2010 г.
Методами оптической спектроскопии и электронной микроскопии исследованы туннельно-нижекционные наноструктуры, активная область которых состояла из верхнего слоя квантовой ямы In0.15Ga0.85As в качестве инжектора носителей и нижнего слоя квантовых точек In0.6Ga0.4As в качестве эмиттера света, разделенных слоем барьера GaAs. В зависимости времени туннелирования от толщины барьера обнаружены отклонения от полуклассической модели Вентцеля-Крамерса-Бриллюэна. Сокращение времени переноса до единиц пикосекунд при толщине барьера менее 6 нм объясняется формированием между вершинами квантовых точек и слоем квантовой ямы наномостиков InGaAs, в том числе с собственным дырочным состоянием. Учтено влияние наведенного туннелированием электрического поля на время переноса носителей в туннельно-инжекционной наноструктуре.
- Z. Mi, P. Bhattacharya, S. Fathpour. Appl. Phys. Lett., 86, 153 109 (2005)
- В.П. Евтихиев, О.В. Константинов, А.В. Матвеенцев, А.Е. Романов. ФТП, 36, 79 (2002)
- G. Sek, P. Poloczek, P. Podemski, R. Kudrawiec, J. Misiewicz. Appl. Phys. Lett., 90, 081 915 (2007)
- L.F. Register, C. Wanqiang, X. Zheng, M. Stroscio. Int. J. High Speed Electron. Syst., 12, 239 (2002)
- V.G. Talalaev, J.W. Tomm, N.D. Zakharov, P. Werner, U. Gosele, B.V. Novikov, A.S. Sokolov, Yu.B. Samsonenko, V.A. Egorov, G.E. Cirlin. Appl. Phys. Lett., 93, 031 105 (2008)
- V.G. Talalaev, J.W. Tomm, A.S. Sokolov, I.V. Shtrom, B.V. Novikov, A. Winzer, R. Goldhahn, G. Gobsch, N.D. Zakharov, P. Werner, U. Gosele, G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh, V.M. Ustinov, G.G. Tarasov. J. Appl. Phys., 100, 083 704 (2006)
- Yu.I. Mazur, Zh.M. Wang, G.G. Tarasov, M. Xiao, G.J. Salamo, J.W. Tomm, V. Talalaev, H. Kissel. Appl. Phys. Lett., 86, 063 102 (2005)
- Ч.С. Ким, А.М. Сатанин, В.Б. Штенберг. ФТП, 36, 569 (2002)
- Ю.А. Алещенко, И.П. Казаков, В.В. Капаев, Ю.В. Копаев. Письма ЖЭТФ, 67, 207 (1998)
- С.И. Губарев, И.В. Кукушкин, С.В. Товстоног, М.Ю. Акимов, И. Смет, К. фон Клитцинг, В. Вегшайдер. Письма ЖЭТФ, 72, 469 (2000)
- L.V. Asryan, S. Luryi. Sol. St. Electron., 47, 205 (2003)
- D.-S. Han, L.V. Asryan. Appl. Phys. Lett., 92, 251 113 (2008)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
