Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Эффективные фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения на основе ZnS и CdS с низкоомными поверхностными слоями

Бобренко Ю.Н.¹, Павелец С.Ю.¹, Павелец А.М.¹, Киселюк М.П.¹, Ярошенко Н.В.¹

¹Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Поступила в редакцию: 15 декабря 2009 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Формирование в области пространственного заряда поверхностно-барьерных фотопреобразователей Cu_1.8S-CdS и Cu_1.8S-ZnS тонких высокоомного и низкоомного слоев приводит к существенному увеличению фоточувствительности и снижению темновых туннельно-рекомбинационных токов. Получены высокоэффективные и стабильные фотопреобразователи ультрафиолетового излучения на основе CdS и ZnS. Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства и приведены основные эксплуатационные параметры фотопреобразователей ультрафиолетового излучения.

А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1975)
С.С. Кильчицкая, В.И. Стриха. В сб.: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника (Киев, Наук. думка, 1986) вып. 10, с. 3
Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 37, 1025 (2003)
K. Hiramatsu, Motogatio. Phys. Status Solidi A, 195, 496 (2003)
Ю.Н. Бобренко, А.М. Павелец, С.Ю. Павелец, В.М. Ткаченко. Письма ЖТФ, 20 (12), 9 (1994)
Ю.Н. Бобренко, А.М. Павелец, С.Ю. Павелец, Т.Е. Шенгелия. ФТП, 29, 750 (1995)
С.Ю. Павелец, Ю.Н. Бобренко, А.В. Комащенко, Т.Е. Шенгелия. ФТП, 35, 626 (2001)
С.Ю. Павелец, Ю.Н. Бобренко, А.М. Павелец, М.Н. Кретулис. В сб.: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника (Киев, Наук. думка, 2002) вып. 37, с. 106
Ю.Н. Бобренко, С.Ю. Павелец, А.М. Павелец. Приборы и техника эксперимента, N 6, 107 (2007)
С.Ю. Павелец, А.А. Стадник, О.А. Мищук, А.М. Павелец. В сб.: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника (Киев, Наук. думка, 2005) вып. 40, с. 149
Ю.Н. Бобренко, С.Ю. Павелец, А.М. Павелец. ФТП, 43, 830 (2009)
С.Ю. Павелец, Т.М. Сванидзе, В.П. Тарасенко. ФТП, 17, 1330 (1983)
С.Ю. Павелец, Т.М. Сванидзе, В.П. Тарасенко. Укр. физ. журн., 18, 581 (1983)
Ю.З. Зубнов, М.С. Лурье, Ф.Г. Старх, Г.А. Филаретов. Вакуумное нанесение пленок в квазизамкнутом объеме (М., Сов. радио, 1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель