Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

О механизме рассеяния носителей заряда в Ag₂Se

Джафаров М.Б.¹

¹Азербайджанский государственный аграрный университет, A Гянджа, Азербайджан

Поступила в редакцию: 1 октября 2009 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено исследование электрических и термоэлектрических свойств селенида серебра в интервале температур 4.2-300 K. Полученные данные интерпретированы в рамках теории с одним типом носителей и кейновским законом дисперсии с учетом характера межэлектронного взаимодействия. Установлено, что для концентраций n=<q7.8·10¹⁸ см^-3 носители заряда при T=<q30 K рассеиваются на ионах примесей, а при T>=q30 K на акустических и оптических колебаниях решетки и точечных дефектах. Показано, что при T<30 K межэлектронные взаимодействия носят упругий характер.

С.А. Алиев, Н.А. Вердиева, М.И. Алиев. ФТП, 12 (10), 2075 (1978)
С.А. Алиев, Ф.Ф. Алиев. Изв. АН СССР, Неорг. матер., 21 (11), 1869 (1985)
М.Г. Рамазанзаде, С.А. Алиев, Н.А. Вердиева, А.М. Агаев. Изв. вузов. Физика. 27 (10) (1981)
В.М. Глазов, Н.М. Махмудова. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 6 (8), 1409 (1970)
С.А. Алиев, Д.Г. Араслы, З.Ф. Агаев, Ш.С. Исмаилов, Э.И. Зульфигаров. Изв. АН АзССР. Сер. физ.-техн. и мат. наук, 67, N 6. 98 (1982)
N. Hieraki, I. Kazanaki, Y. Sataran. Jpn. J. Appl. Phys., 38 (10), 5745 (1999)
Ф.Ф. Алиев, Э.М. Керимова, С.А. Алиев. ФТП, 36 (8), 932 (2002)
Б.М. Аскеров. Кинетические эффекты в полупроводниках (Л., Наука, 1970)
A. Andre, C. Simon. J. Phys. Chem., 44 (22), 95 (1983)
H. Ran. J. Phys. Chem. Sol., 35 (11), 1553 (1974)
K. Weiss, B. Ber, R. Runsenges. Phys. Chem., 75, 338 (1969)
P. Yunod. Helv. Phys. Acta, 32 (6--7), 567 (1959)
В.Н. Рай. Sol. St. Commun., 16, 1041 (1975)
Ф.Ф. Алиев. ФТП, 37 (9), 1082 (2003)
Г.Б. Абдуллаев, Т.Д. Джафаров. Атомная диффузия в полупроводниковых структурах (М., Атомиздат, 1980)
Г.Б. Абдуллаев, М.И. Алиев, С.А. Алиев, Д.Г. Араслы, Н.А. Вердиева, Р.Э. Гусейнов. Препринт ИФАН АзССР (Баку, 1974)
Ф.Ф. Алиев, М.Б. Джафаров. ФТП, 42 (11), 1297 (2008)
В.И. Кайданов, С.А. Немов. ФТП, 15 (3), 542 (1981)
В.И. Найданов, С.А. Немов, Ю.И. Равич. ФТП, 26 (2), 201 (1992)
С.А. Алиев, Л.Л. Коренблит, С.С. Шалыт. ФТТ, 8 (3), 705 (1966)
С.С. Шалыт, В.М. Муждаба, А.Д. Гелецкая. ФТТ, 10 (5), 1277 (1968)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель