Дифференциальная емкость полупроводниковой пленки
Цуриков Д.Е.1, Яфясов А.М.1
1Санкт-Петербургский государственный университет (физический факультет, кафедра электроники твердого тела), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 марта 2010 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2010 г.
В рамках феноменологической теории области пространственного заряда предложена быстрая схема вычисления поверхностной дифференциальной емкости полупроводниковой пленки в случае омического контакта на тыльной стороне. Метод расчета рассмотрен на примере полупроводника с параболическим законом дисперсии (n-Ge). Обнаружено не связанное с эффектами размерного квантования явление провала вольт-фарадной характеристики с уменьшением толщины полупроводника.
- H. Garret, W.H. Brattain. Phys. Rev., 99 (2), 376 (1955)
- Р. Клингстон, Э. Нейштадтер. В кн.: Проблемы физики полупроводников, под ред. В.Л. Бонч-Бруевича (М., ИЛ, 1957)
- В.Н. Овсюк. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда (Новосибирск, Наука, 1984)
- M. Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur. Handbook series on semiconductor parameters (Word Scientific, 1996) v. 1
- X. Aumerich-Humet, F. Serra-Mestres, J. Millan. J. Appl. Phys., 54 (5), 2850 (1983)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук