Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2010, выпуск 10 » Статья стр. 1352
<<<>>>
Анализ механизмов эмиссии носителей в p-i-n-структурах с квантовыми точками In(Ga)As
Шаталина Е.С.1, Блохин С.А.1,2, Надточий А.М.1,2, Паюсов А.С.1, Савельев А.В.1, Максимов М.В.2,1, Жуков А.Е.1, Леденцов Н.Н.2, Ковш А.Р.3, Михрин С.С.3, Устинов В.М.2
1Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Innolume GmbH, Dortmund, Deutschland
Поступила в редакцию: 23 марта 2010 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2010 г.
PDF версия
С помощью спектроскопии фототока исследованы механизмы эмиссии носителей заряда с энергетических уровней квантовых точек (In,Ga)As/(Al,Ga)As различной конструкции. Показано, что для изолированных слоев квантовых точек, разделенных широкими спейсерными слоями (Al,Ga)As, основным механизмом эмиссии носителей из квантовых точек является термическая активация. При малой ширине спейсерного слоя (Al,Ga)As, когда происходит электронное связывание отдельных слоев квантовых точек в вертикальном направлении, возрастает роль туннельного механизма эмиссии носителей между вертикально связанными квантовыми точками.
  1. V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.Y. Egorov, N.A. Maleev. Quantum Dot Lasers (Oxford, U.K., Oxford Univ. Press, 2003)
  2. V. Aroutiounian, S. Petrosyan, A. Khachatryan, K. Touryan. J. Appl. Phys., 89, 2268 (2001)
  3. С.А. Блохин, А.В. Сахаров, А.М. Надточий, А.С. Паюсов, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов, А.Р. Ковш, С.С. Михрин, В.М. Лантратов, С.А. Минтаиров, Н.А. Калюжный, М.З. Шварц. ФТП, 43, 537 (2009)
  4. P.W. Fry, I.E. Itskevich, S.R. Parnell, J.J. Finley, L.R. Wilson, K.L. Schumacher, D.J. Mowbray, M.S. Skolnick, M. Al-Khafaji, A.G. Cullis, M. Hopkinson, J.C. Clark, G. Hill. Phys. Rev. B, 62, 16 784 (2000)
  5. W.-H. Chang, T.M. Hsu, C.C. Huang, S.L. Hsu, C.Y. Lai, N.T. Yeh, T.E. Nee, J.-I. Chyi. Phys. Rev. B, 62, 6959 (2000)
  6. А.В. Савельев, М.В. Максимов, В.М. Устинов, Р.П. Сейсян. ФТП, 40, 88 (2006)
  7. P.N. Brunkov, A. Patane, A. Levin, L. Eaves, P.C. Main, Yu.G. Musikhin, B.V. Volovik, A.E. Zhukov, V.M. Ustinov, S.G. Konnikov. Phys. Rev. B, 65, 085 326 (2002)
  8. P.W. Fry, J.J. Finley, L.R. Wilson, A. Lemaitre, D.J. Mowbray, M.S. Skolnick, M. Hopkinson, G. Hill, J.C. Chark. Appl. Phys. Lett., 77, 4344 (2000)
  9. S.C. McFarlane, J. Barnes, K.W.J. Barham, E.S.M. Tsui, C. Button, J.S. Roberts. J. Appl. Phys., 86, 5109 (1999)
  10. D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
  11. G. Vincent, A. Chantre, D. Bois. J. Appl. Phys., 50, 5484 (1979).
  12. Н.В. Крыжановская, А.Г. Гладышев, С.А. Блохин, М.В. Максимов, Е.С. Семенова, А.П. Васильев, А.Е. Жуков, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, Д. Бимберг, ФТП, 39, 1230 (2005)
  13. Д.С. Сизов, Ю.Б. Самсоненко, Г.Э. Цырлин, Н.К. Поляков, В.А. Егоров, А.А. Тонких, А.Е. Жуков, С.С. Михрин, А.П. Васильев, Ю.Г. Мусихин, А.Ф. Цацульников, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов. ФТП, 37, 578 (2003)
  14. E.C. Le Ru, J. Fack, R. Murray. Phys. Rev. B, 67, 245 318 (2003)
  15. N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, M. Grundmann, N. Kirstaedtler, J. Bohrer, O. Schmidt, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, S.V. Zaitsev, N.Yu. Gordeev, Zh.I. Alferov. Phys. Rev. B, 54, 8743 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme