Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотоэлектрические и люминесцентные свойства хлорида серебра, легированного диспрозием
1Институт проблем химической физики Российской академии наук, Черноголовка, Россия 
2Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
3Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
3Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 14 июля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 января 2011 г.
Методами СВЧ фотопроводимости и фотолюминесценции исследовано влияние легирования диспрозием на фотоэлектрические и люминесцентные свойства кристаллов AgCl. Легирование изменяло как кинетику гибели фотогенерированных электронов, так и спектры люминесценции и параметры фотостимулированной вспышки люминесценции. Показано, что за новую полосу люминесценции с максимумом при 470 нм, проявляющуюся при массовых концентрациях легирующей добавки >10-6%, ответственны заряженные, [DyAg · V'Ag], или нейтральные, [DyAg·2V'Ag]x, ассоциаты. Длиноволновое плечо при 570 нм в спектрах люминесценции отнесено к внутрицентровым переходам в ионах Dy3+. Оценена константа скорости реакции захвата электрона в ловушки, образующиеся при введении легирующей добавки, kt=(3-5)·10-8 см3·с-1. Предполагается, что ловушками являются ионы диспрозия Dy3+.
- Ю.В. Вострикова, В.Г. Клюев. ФТП, 42 (3), 277 (2008)
- Н.В. Личкова, В.Н. Загороднев, Л.Н. Бутвина, О.В. Середа, А.Л. Бутвина, Е.М. Дианов. Квант. электрон., 39 (3), 283 (2009)
- L. Nagli, O. Gayer, A. Katzir. Opt. Lett., 30, 1831 (2005)
- I. Shafir, L. Nagli, A. Katzir. Appl. Phys. Lett., 94 (23), 1907 (2009)
- Y. Seki, Y. Furukawa. Jpn. J. Appl. Phys., 10, 529 (1971)
- А.А. Каминский, К. Курбанов, Т.В. Уварова. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 23, 1049 (1987)
- А.А. Каминский, Л.К. Аминов, В.Л. Ермолаев и др. Физика и спектроскопия лазерных кристаллов (М., Наука, 1986)
- В.П. Грибковский. Полупроводниковые лазеры Учеб. пособие по спец. "Радиофизика и электроника" (Минск, Университетское, 1988)
- Н.В. Личкова, В.Н. Загороднев. Высокочистые вещества, N 3, 19 (1991)
- Ю.В. Метелева, Г.Ф. Новиков. ФТП, 40 (10), 1167 (2006)
- Г.Ф. Новиков, А.А. Маринин, Е.В. Рабенок. ПТЭ, N 2, 83 (2010)
- А.Н. Латышев, О.В. Овчинников, М.С. Смирнов. ЖНиПФ, 48 (5), 47 (2003)
- Е.В. Рабенок, М.В. Гапанович, Г.Ф. Новиков, И.Н. Один. ФТП, 43 (7), 878 (2009)
- R.J. Deri, J.P. Spoonhower. Phys. Rev. B, 25 (4), 2821 (1982)
- С.Ю. Грабчак, Г.Ф. Новиков, Л.С. Моисеева, М.Р. Любовский, М.В. Алфимов. ЖНиПФиК, 35 (2), 134 (1990)
- А.Н. Матвеев. Оптика (М., Высш. шк., 1985)
- П.В. Мейкляр. Физические процессы при образовании скрытого изображения (М., Наука, 1972)
- К.В. Чибисов. Природа фотографической чувствительности (М., Наука, 1980)
- В.М. Белоус, К.В. Чибисов. ДАН СССР, 187 (3), 593 (1969)
- П.П. Феофилов. Изв. АН СССР. Сер. физ., 26, 435 (1962)
- Б.И. Шапиро. Теоретические начала фотографического процесса (М., Эдиториал УРСС, 2000)
- А.Н. Латышев, О.В. Овчинников, М.С. Смирнов. ЖПС, 71 (2), 223 (2004)
- R.J. Deri, J.P. Spoonhower. Appl. Phys. Lett., 43 (1), 65 (1983)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
