Исследована временная зависимость термической генерации электронов из заполненных поверхностных состояний границы раздела полупроводник-диэлектрик в МДП структуре. Установлено, что при низких температурах производная по энергии от вероятности опустошения заполненных поверхностных состояний является delta-функцией Дирака. Показано, что плотность состояний конечного числа дискретных энергетических уровней при высокотемпературных измерениях проявляется как сплошной спектр, а при низких температурах как дискретный. Предложена методика обработки сплошного спектра плотности поверхностных состояний, которая позволяет определить дискретный энергетический спектр. Полученные результаты могут способствовать повышению разрешающей способности метода нестационарной спектроскопии поверхностных состояний.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.