Релаксация потенциала поверхности полупроводника в МДП структуре при наличии конвективных токов в диэлектрике и через его границы
Дмитриев С.Г.1
1Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 29 марта 2010 г.
Выставление онлайн: 20 января 2011 г.
Метод Берглунда для определения релаксации потенциала полупроводниковой поверхности структуры металл-диэлектрик-полупроводник при изменении напряжения на структуре справедлив только в отсутствие конвективных токов в диэлектрике. В данной работе предложен метод определения релаксации потенциала при наличии конвективных токов. Кроме того, рассматриваются токи, возникающие в структуре благодаря изменению разности контактного потенциала при вариации температуры.
- C.N. Berglund. IEEE Trans. Electron. Dev., ED- 13 (10), 701 (1966)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
- E.R. Nicollian, J.R. Brews. MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) Physics and Technology (N.Y., J. Willey \& Sons, 1982)
- С.Г. Дмитриев. ФТП, 43 (6), 854 (2009)
- D.M. Fleetwood, M.J. Johnson, T.L. Meisenheimer, P.S. Winokur, W.L. Warren, S.C. Witczak. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS- 44 (6), 1810 (1997)
- C. Sah, S. Pan, C. Hsu. J. Appl. Phys., 57 (12), 5148 (1985)
- J. Chevallier. Def. Dif. Forum, 131- 132, 9 (1996)
- С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин. ФТП, 42 (1), 45 (2008)
- G. Hetherington, K.H. Jack, M.W. Ramsay. Phys. Chem. Glasses, 6 (1), 6 (1965)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
- C. Herring, M.H. Nichols. Rev. Mod. Phys., 21 (2), 185 (1949)
- C.D. Thurmond. J. Electrochem. Soc., 122 (8), 1133 (1975)
- V. Alex, S. Finkbeiner, J. Weber. J. Appl. Phys., 79 (9), 6943 (1996)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
