Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Релаксация потенциала поверхности полупроводника в МДП структуре при наличии конвективных токов в диэлектрике и через его границы

Дмитриев С.Г.¹

¹Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Фрязино, Россия Fryazino Branch of the Kotelnikov Institute of Radioengineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Fryazino, Russia

Fryazino Branch of the Kotelnikov Institute of Radioengineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Fryazino, Russia

Поступила в редакцию: 29 марта 2010 г.

Выставление онлайн: 20 января 2011 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Метод Берглунда для определения релаксации потенциала полупроводниковой поверхности структуры металл-диэлектрик-полупроводник при изменении напряжения на структуре справедлив только в отсутствие конвективных токов в диэлектрике. В данной работе предложен метод определения релаксации потенциала при наличии конвективных токов. Кроме того, рассматриваются токи, возникающие в структуре благодаря изменению разности контактного потенциала при вариации температуры.

C.N. Berglund. IEEE Trans. Electron. Dev., ED- 13 (10), 701 (1966)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
E.R. Nicollian, J.R. Brews. MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) Physics and Technology (N.Y., J. Willey \& Sons, 1982)
С.Г. Дмитриев. ФТП, 43 (6), 854 (2009)
D.M. Fleetwood, M.J. Johnson, T.L. Meisenheimer, P.S. Winokur, W.L. Warren, S.C. Witczak. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS- 44 (6), 1810 (1997)
C. Sah, S. Pan, C. Hsu. J. Appl. Phys., 57 (12), 5148 (1985)
J. Chevallier. Def. Dif. Forum, 131- 132, 9 (1996)
С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин. ФТП, 42 (1), 45 (2008)
G. Hetherington, K.H. Jack, M.W. Ramsay. Phys. Chem. Glasses, 6 (1), 6 (1965)
В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
C. Herring, M.H. Nichols. Rev. Mod. Phys., 21 (2), 185 (1949)
C.D. Thurmond. J. Electrochem. Soc., 122 (8), 1133 (1975)
V. Alex, S. Finkbeiner, J. Weber. J. Appl. Phys., 79 (9), 6943 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель