Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Ширина линии фотолюминесценции от самоформирующихся островков Ge(Si), заключенных между напряженными Si-слоями
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 8 июня 2010 г.
Выставление онлайн: 20 января 2011 г.
Исследовано влияние толщин напряженных Si-слоев, температуры измерения и мощности оптического возбуждения на ширину пика фотолюминесценции от самоформирующихся наноостровков Ge(Si), выращенных на релаксированных буферных слоях SiGe/Si (001) и заключенных между напряженными Si-слоями. Показано, что путем изменения толщин напряженных Si-слоев над и под островками можно как уменьшать, так и увеличивать ширину линии фотолюминесценции островков Ge(Si). За счет учета диффузионного размытия напряженного слоя Si над островками достигнуто уменьшение ширины пика фотолюминесценции от островков Ge(Si) до значений, сравнимых с шириной пика фотолюминесценции от структур с квантовыми точками на основе прямозонных полупроводников InAs/GaAs.
- D.J. Paul. Semicond. Sci. Technol., 19(10), R75 (2004)
- K. Brunner. Rep. Progr. Phys., 65 (1), 27 (2001)
- J. Stangl, V. Holy, G. Bauer. Rev. Mod. Phys., 76 (3), 725 (2004)
- L. Vescan, T. Stoica. J. Luminesc., 80, 485 (1998)
- T. Brunhes, P. Boucaud, S. Sauvage, F. Aniel, J.-M. Lourtioz, C. Hernandez, Y. Campidelli, O. Kermarrec, D. Bensahel, G. Faini, I. Sagnes. Appl. Phys. Lett., 77 (12) 1822 (2000)
- В.Я. Алешкин, Н.А. Бекин, Н.Г. Калугин, З.Ф. Красильник, А.В. Новиков, В.В. Постников, Х. Сейрингер. Письма ЖЭТФ, 67 (1), 46 (1998)
- B.V. Kamenev, L. Tsybeskov, J.-M. Baribeau, D.J. Lockwood. Phys. Rev. B, 72 (19), 193 306 (2005)
- A.I. Yakimov, N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, A.V. Nenashev. Semicond. Sci. Technol., 15 (12), 1125 (2000)
- M.V. Shaleev, A.V. Novikov, A.N. Yablonskiy, Y.N. Drozdov, D.N. Lobanov, Z.F. Krasilnik, O.A. Kuznetsov. Appl. Phys. Lett., 88 (1), 011 914 (2006)
- A.V. Novikov, M.V. Shaleev, A.N. Yablonskiy, O.A. Kuznetsov, Yu.N. Drozdov, D.N. Lobanov, Z.F. Krasilnik. Semicond. Sci. Technol., 22 (1), S29 (2007)
- M.V. Shaleev, A.V. Novikov, A.N. Yablonskiy, Y.N. Drozdov, D.N. Lobanov, Z.F. Krasilnik, O.A. Kuznetsov. Appl. Phys. Lett., 91 (2), 021 916 (2007)
- Н.В. Востоков, Ю.Н. Дроздов, О.А. Кузнецов, З.Ф. Красильник, А.В. Новиков, В.А. Перевозщиков, М.В. Шалеев. ФТТ, 47 (1), 44 (2005)
- М.В. Шалеев, А.В. Новиков, А.Н. Яблонский, О.А. Кузнецов, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник. ФТП, 41 (2), 172 (2007)
- М.В. Шалеев, А.В. Новиков, А.Н. Яблонский, О.А. Кузнецов, Ю.Н. Дроздов, Д.Н. Лобанов, З.Ф. Красильник. ФТП, 41 (11), 1375 (2007)
- D.J. Lockwood, J.-M. Baribeau, B.V. Kamenev, E.-K. Lee, L. Tsybeskov. Semicond. Sci. Technol., 23 (6), 064 003 (2008)
- M. Stoffel, U. Denker, G.S. Kar, H. Sigg, O.G. Schmidt. Appl. Phys. Lett., 83 (14), 2910 (2003)
- V. Yam, V. Le Thanh, Y. Zheng, P. Boucaud, D. Bouchier. Phys. Rev. B, 63 (3), 033 313 (2001)
- J. Wan, Y.H. Luo, Z.M. Jiang, G. Jin, J.L. Liu, K.L. Wang, X.Z. Liao, J. Zou. Appl. Phys. Lett., 79 (13), 1980 (2001)
- J. Weber, M.I. Alonso. Phys. Rev. B, 40, 5683 (1989)
- N. Usami, F. Issiki, D.K. Nayak, Y. Shiraki, S. Fukatsu. Appl. Phys. Lett., 67 (4), 524 (1995)
- P. Boucaud, S. Sauvage, M. Elkurdi, E. Mercier, T. Brunhies, V. Le Thanh, D. Bouchier, O. Kermarrec, Y. Campidelli, D. Bensahell. Phys. Rev. B, 64 (15), 155 310 (2001)
- Н.В. Востоков, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А. В. Новиков, А.Н. Яблонский. Изв. РАН. Сер. физ., 67 (2), 159 (2003)
- C.-K. Sun, G. Wang, J.E. Bowers, B. Brar, H.-R. Blank, H. Kroemer, M.H. Pilkuhn. Appl. Phys. Lett., 68 (11), 1543 (1996)
- P. Howe, E.C. Le Ru, E. Clarke, B. Abbey, R. Murray, T.S. Jones. J. Appl. Phys., 95 (6), 2998 (2004)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
