Вышедшие номера
Частотные и температурные зависимости вольт-фарадных характеристик светоизлучающих структур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами
Солтанович О.А.1, Шмидт Н.М.2, Якимов Е.Б.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 июня 2010 г.
Выставление онлайн: 20 января 2011 г.

Проведены исследования частотной зависимости вольт-фарадных характеристик светоизлучающих структур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами в диапазоне частот 60 Гц-5 МГц и интервале температур 77-300 K. Показано, что при всех температурах измеренные вольт-фарадные характеристики зависят от частоты. При этом уменьшение частоты тестового сигнала приводит к таким же изменениям в вольт-фарадных характеристиках, что и повышение температуры измерений. Обнаружено, что для каждой температуры в исследованном диапазоне частот достигается предельная низкочастотная вольт-фарадная характеристика. Показано, что низкочастотные вольт-фарадные характеристики, измеренные при разных температурах, с хорошей точностью совпадают. Процесс достижения равновесия зарядов в активной области, вероятнее всего, определяется туннелированием носителей через барьеры.