Созданы и исследованы фотодетекторы для спектрального диапазона 2-4 мкм на основе асимметричной гетероструктуры II типа p-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/(p,n)GaSb с глубокой одиночной или тремя глубокими квантовыми ямами на гетерогранице, выращенные методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Исследованы транспортные, люминесцентные, фотоэлектрические, вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики таких структур. Интенсивная положительная и отрицательная люминесценция наблюдались в спектральном диапазоне 3-4 мкм при высоких температурах (300-400 K). Спектры фоточувствительности лежали в диапазоне 1.2-3.6 мкм (T=77 K). Высокая квантовая эффективность eta=0.6-0.7, токовая чувствительность S_lambda=0.9-1.4 А/Вт и обнаружительная способность D^*_lambda=3.5·10¹¹-10¹⁰ см · Гц^1/2/Вт были получены в области T=77-200 K. Низкое значение емкости (C=1.5 пФ при V=-1 В, T=300 K) позволило оценить быстродействие фотодетектора tau=75 пс, что соответствует ширине полосы частот около 6 ГГц. Такие фотодетекторы перспективны для гетеродинного приема излучения квантово-каскадных лазеров и инфракрасной спектроскопии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.