Влияние дозы облучения высокоэнергетичными протонами на подвижность электронов в кристаллах n-Si
Пагава Т.А.1, Майсурадзе Н.И.1, Беридзе М.Г.1
1Грузинский технический университет (департамент физики), Тбилиси, Грузия
Поступила в редакцию: 5 октября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2011 г.
Исследовались монокристаллы n-Si, полученные методом зонной плавки, с концентрацией электронов 6·1013 см-3. Образцы облучались протонами с энергией 25 МэВ при 300 K в интервале доз (1.8-8.1)·1012 см-2. Измерения проводились методом Холла в интервале температур T=77-300 K. В образцах, облученных различными дозами протонов, наблюдаются резкое увеличение измеряемой эффективной холловской подвижности mueff или же наличие глубокого минимума на кривых mueff(T) в области фононного рассеяния электронов сразу после облучения или после старения образцов соответственно. Наблюдаемый эффект объясняется образованием в облученных образцах высокопроводящих (металлических) включений и изменением степени их экранирования примесно-дефектной оболочкой в зависимости от дозы облучения, времени естественного старения и температуры измерения. Примесно-дефектные оболочки вокруг металлических включений образуются в процессах изохронного отжига или естественного старения облученных образцов. В работе высказано предположение, что металлические включения, которые образуются в кристаллах n-Si при облучении протонами с энергией 25 МэВ, являются наноразмерными атомными кластерами с радиусом 80 нм.
- Р.Ф. Коноплева, В.Л. Литвинов, Н.А. Ухин. Особенности радиационного повреждения полупроводников частицами высоких энергий (М., Атомиздат, 1971)
- B.R. Gossik. J. Appl. Phys., 30, 1214 (1959)
- И.Д. Конозенко, А.К. Семенюк, В.И. Хиврич. Радиационные эффекты в кремнии (Киев, Наук. думка, 1974)
- Н.А. Ухин. ФТП, 6, 931 (1972)
- Л.С. Милевский, Т.М. Ткачева, Т.А. Пагава. ЖЭТФ, 69, 2132 (1975)
- В.И. Кузнецов, П.Ф. Лугаков. ФТП, 13, 625 (1979)
- В.И. Кузнецов, П.Ф. Лугаков. ФТП, 14, 1924 (1980)
- Т.А. Пагава, Л.С. Чхартишвили. УФЖ, 48 (3), 232 (2003)
- Т.А. Пагава, Н.И. Майсурадзе. ФТП, 44, 160 (2010)
- И.В. Антонова, С.С. Шаймиев, С.А. Смагулова. ФТП, 40, 557 (2006)
- В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., Наука, 1990)
- Е.В. Кучис. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования (М., Радио и связь, 1990)
- А.Л. Асеев, Л.Н. Федина, Д. Хеэль, Х. Барч. Скопления межузельных атомов в кремнии и германии (Новосибирск, Наука, 1991)
- Р.Ф. Коноплева, В.И. Остроумов. Взаимодействие заряженных частиц высоких энергий с кремнием (М., Атомиздат, 1975)
- L. Palmetshofer, J. Reisinger. J. Appl. Phys., 72, 21 676 (1992)
- P. Hazdra, J. Vobeeky. Sol. St. Phenomena, 69- 70, 545 (1999)
- М.Г. Мильвидский, В.В. Чалдышев. ФТП, 32, 513 (1998)
- В.В. Козловский, В.А. Козлов, В.И. Ломасов. ФТП, 34, 129 (2000)
- В.А. Козлов, В.В. Козловский. ФТП, 35, 769 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук