Вышедшие номера
Фотолюминесценция CdTe, выращенного при значительном отклонении от термодинамического равновесия
Багаев В.С.1, Клевков Ю.В.1, Колосов С.А.1, Кривобок В.С.1, Онищенко Е.Е.1, Шепель А.А.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 28 декабря 2010 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2011 г.

С помощью низкотемпературной фотолюминесценции и электрофизических измерений исследован нелегированный теллурид кадмия, полученный в различных режимах быстрой кристаллизации из паровой фазы при температурах 420-600oC. Показано, что, несмотря на сравнительно большую скорость роста (~ 1 мкм/с), основные параметры, характеризующие решетку и зонную структуру материала, близки к литературным значениям для монокристаллического CdTe. Тип проводимости полученных кристаллов определяется водородоподобными донорами и акцепторами, связанными с фоновыми примесями. Помимо фоновых примесей в текстурах n-типа обнаружены компенсирующие акцепторы с нестандартными энергиями активации 48.5±0.5, 98.0±0.5 и 119.5±0.5 мэВ. Показано, что сочетание пониженной температуры роста и избытка теллура приводит к резкому увеличению концентрации глубоких электронных состояний и изоэлектронных дефектов с пониженной симметрией.