Вышедшие номера
Дефекты кристаллической структуры в слоях CdxHg1-xTe, выращенных на подложках из Si(310)
Якушев М.В.1, Гутаковский А.К.1, Сабинина И.В.1, Сидоров Ю.Г.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 28 декабря 2010 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2011 г.

Методами просвечивающей электронной микроскопии и селективного травления исследована микроструктура слоев CdTe(310) и CdHgTe(310), выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках из Si. Установлено, что в гетероструктурах CdHgTe/CdTe/ZnTe/Si(310) образование антифазных доменов определяется условиями формирования интерфейса ZnTe/Si. Создав условия, облегчающие адсорбцию цинка, возможно получение монодоменных слоев. Повышение температуры роста и давления паров Te2 вызывает появление антифазных доменов и увеличение их плотности вплоть до роста поликристалла. Обнаружено, что в гетероструктуре CdHgTe/Si(310) присутствуют дефекты упаковки, анизотропно распределенные в объеме выращенных слоев. Дефекты упаковки преимущественно лежат в одной плоскости (111), пересекающей поверхность (310) под углом 68o. Зарождение дефектов упаковки происходит на границе раздела ZnTe/Si(310). Обсуждаются причины образования дефектов упаковки и их анизотропного распределения.