Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрофизические и фотоэлектрические свойства наноструктур, полученных неэлектролитическим травлением кремния

Биленко Д.И.¹, Галушка В.В.¹, Жаркова Э.А.¹, Мысенко И.Б.¹, Терин Д.В.¹, Хасина Е.И.¹

¹Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия Saratov State University, Saratov, Russia

Saratov State University, Saratov, Russia

Поступила в редакцию: 7 декабря 2010 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2011 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства наноструктур со слоями пористого кремния, полученными неэлектролитическим травлением кремния. Установлено, что фотоэлектрические и фотовольтаические свойства структур зависят от морфологии структур и определяются не только свойствами модифицированного слоя, но и наличием возможных барьеров в слоисто-пористом кремнии. Кратность отношения фотопроводимости к темновой достигала 10²-5·10². Обнаружено наличие напряжения холостого хода V_oc, которое составило ~250 мВ при мощности падающего излучения, близкого к AM-1, ~100 мВт/см². При этом плотность тока короткого замыкания I_sc составляла ~20 мкА/см².

K. Peng, Y. Wu, H. Fung, X. Zhong, Y. Xu, J. Zhu Angew. Chem. Intl. Edn., 44, 2737 (2005)
A. Hochbaum, R. Chen, R. Delgado, W. Liang, E. Garnett. Nature, 451, 163 (2008)
V. Sivakov, G. Andre, A. Gawlik, A. Berger. Nano Lett., 9, 1549 (2009)
Th. Stelzner. Nanotechnology, 19, 1 (2008)
E. Garnett, P. Yang. J. Amer. Chem. Soc., 190, 9224 (2008)
А. Евтух, Э. Каганович, Э. Манайлов, Н. Семененко. ФТП, 40, 180 (2006)
Р. Бьюб. Фотопроводимость твердых тел (М., ИЛ, 1962)
С. Зи. Физика пролупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
Е. Астрова, С. Белов, А. Лебедев. ФТП, 28, 332 (1994)
Д.И. Биленко, О.Я. Белобровая, Э.А. Жаркова, И.Б. Мысенко, Е.И. Хасина. ФТП, 36, 490 (2002)
Д.И. Биленко, О.Я. Белобровая, Э.А. Жаркова, Д.В. Терин, Е.И. Хасина. ФТП, 39, 384 (2005)
О.Я. Белобровая, Д.И. Биленко, В.В. Галушка, Э.А. Жаркова, Д.В. Терин, Е.И. Хасина. Нано- и микросистеманая техника, 10, 15 (2009)
В.В. Болотов, И.В. Пономарева, Ю.А. Стелькин, В.Е. Кон. ФТП, 41, 981 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель