Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Дисперсия показателя преломления эпитаксиальных слоев твердого раствора Pb1-xEuxTe (0=<q x=<q1) ниже края поглощения
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия 
2Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
2Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 19 января 2011 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2011 г.
По спектрам пропускания эпитаксиальных слоев твердого раствора Pb1-xEuxTe (0=<q x=<q1) изучалась дисперсия показателя преломления в спектральном диапазоне от 650 до 8000 см-1 (ниже края поглощения). В зависимости от состава были построены величина показателя преломления и положение края поглощения при двух температурах - 80 и 295 K. Расчет значений показателя преломления проводился исходя из классического волнового представления о распространении электромагнитного излучения. Измеренные дисперсионные зависимости описывались эмпирическим выражением Селмейера 2-го порядка. Из проведенного анализа пропускания слоев следует, что в твердом растворе Pb1-xEuxTe при x<0.5 ширина запрещенной зоны увеличивается с ростом температуры, а при x>0.5 уменьшается.
- R. Dornhaus, G. Nimtz, B. Schlicht. Narrow-Gap Semiconductors [Springer Tracts in Mod. Phys. Ser., 98 1983)]
- D.L. Partin. IEEE J. Quant. Electron., QE-24, 1716 (1988)
- W. Heiss, T. Schwarzl, J. Roither, G. Springholz, M. Aigle, H. Pascher, K. Biermann, K. Reimann. Progr. Quant. Electron., 25, 193 (2001)
- J.D. Klein, A. Yen, S.F. Cogan. J. Appl. Phys., 68, 1825 (1990)
- Shu Yuan, H. Krenn, G. Springholz, G. Bauer. Phys. Rev. B, 47, 7213 (1993)
- M. Born, E. Wolf. Principles of Optics, 7th ed. (Cambridge, University Press, 2009) p. 64
- A. Garard, J.M. Burch. Introduction to Matrix Method in Optics (London, John Wiley\&Sons, 1994) p. 26
- J. Piprek. Semiconductor Optoelectronic Devices: Introduction to Physics and Simulation (San Diego, California, Academic Press, 2003) p. 91
- Ю.Г. Селиванов, Е.Г. Чижевский, В.П. Мартовицкий, А.В. Кнотько, И.И. Засавицкий. Неорг. матер., 46, 1183 (2010)
- Z. Feit, R. Woods, D. Kostyk, R. Papez, Y.A. Mantz, M. Cummings, A.W. Mantz. Appl. Optics, 32, 966 (1993)
- M. Bass. Handbook of Optics, 3rd ed. (N. Y., McGraw-Hill, 2009) v. 4
- J.N. Zemel, J.D. Jensen, R.B. Schoolar. Phys. Rev. 140, 330 A (1965)
- P. Wachter. Phys. Kondens. Materie, 8, 80 (1968)
- T. Schwarzl, W. Heib, G. Springholz. Appl. Phys. Lett., 75, 1246 (1999)
- E.W. Baumgartner, T. Schwarzl, G. Springholz, W. Heiss. Appl. Phys. Lett., 89, 051 110 (2006)
- Д.А. Пашкеев, Ю.Г. Селиванов, F. Felder, И.И. Засавицкий. ФТП, 44, 891 (2010)
- W. Heiss, R. Kirchschlager, G. Springholz, Z. Chen, M. Debnath, Y. Oka. Phys. Rev. B, 70, 035 209 (2004)
- G. Gunterodt, B. Wachter, D.M. Imboden. Phys. Kondens. Materie, 12, 292 (1971)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
