Исследовано микроволновое магнитосопротивление слабо легированного (невырожденного) p-Ge с помощью методики электронного парамагнитного резонанса, которая позволяет регистрировать производную изменения микроволнового поглощения в магнитном поле, исходя из того, что изменение такого поглощения пропорционально изменению проводимости полупроводника. Из-за того, что при частоте электромагнитного поля 10 ГГц время усреднения эффективных масс легких и тяжелых дырок в области низких температур много больше периода колебаний, таким способом можно изучать индивидуальную реакцию на магнитное поле легких и тяжелых дырок. Показано, что микроволновое магнитопоглощение, связанное с легкими дырками, слабо зависит от направления магнитного поля относительно кристаллографических осей Ge. В то же время сигнал, связанный с тяжелыми дырками, при повороте образца в магнитном поле изменяется в несколько раз. Экспериментальные результаты сравниваются с теорией классического магниторезистивного эффекта.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.