Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Основные особенности фотостимулированного переноса ионов в гетеропереходах на основе смешанных ионно-электронных (дырочных) проводников и модель тонкопленочного ионного ускорителя
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина 
Поступила в редакцию: 17 марта 2011 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.
Рассмотрены основные особенности фотостимулированного переноса ионов в гетероструктурах на основе смешанных ионно-электронных (дырочных) проводников. Показано, что за счет корректного использования действия определенных физических факторов и специального дизайна для такой гетероструктуры можно реализовать эффективное ускорение ионов. Таким способом можно создать тонкопленочный ионный ускоритель.
- А.И. Стецун. ФТТ, 46 (6), 1092 (2004)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
- И.З. Индутный, М.Т. Костышин, О.П. Касярум, В.И. Минько, Е.В. Михайловская, П.Ф. Романенко. Фотостимулированные взаимодействия в структурах металл--полупроводник (Киев, Наук. думка, 1992)
- A.V. Kolobov, S.R. Elliott. Adv. Phys., 40 (5), 625 (1991)
- У. Моро. Микролитография (М., Мир, 1990)
- J. Bordogna, S.A. Keneman. Holographic Recording Media, ed. by H.M. Smith (Berlin, Springer 1977) p. 229
- М.Т. Костышин, П.Ф. Романенко, И.З. Индутный и др. Фундаментальные основы оптич. памяти и среды, 14, 85 (1983)
- A.P. Firth, P.S. Ewen, A.E. Owen. Structure Non-Cryst. Materials. Proc. 2nd Int. Conf. (Cambridge--London--N.Y., 1982)
- P.J.S. Ewen, W. Taylor. Philosophical Magazine B, 48 (4), L15 (1983)
- П.Ф. Романенко. Автореф. канд. дисс. (Киев, 1971)
- R. Ishikawa. Sol. St. Commun., 30, 99 (1979)
- A. Matsuda, M. Kikuchi. Sol. St. Commun., 13, 401 (1973)
- H. Kokado, I. Shimizu, T. Tatsuno, E. Inoue. J. Non-Cryst. Sol., 21, 225 (1976)
- И.З. Индутный, А.А. Кудрявцев, Е.В. Михайловская. Препринт N 10--91. Ин-т полупроводников АН УССР (Киев, 1991)
- S.T. Lakshmikumar. J. Non-Cryst. Sol., 88, 196 (1986)
- В.А. Данько, И.З. Индутный, А.А. Кудрявцев, В.И. Минько, А.И. Стецун. Укр. физ. журн., 36 (6), 937 (1991)
- A.V. Kolobov, G.E. Bedelbaeva. Phil Mag. B., 64, 21 (1991)
- A.I. Stetsun, I.Z. Indutnyi, V.G. Kravets. J. Non-Cryst. Sol. 202, 113 (1996)
- A.V. Stonski, M. Vlv cek, A.I. Stetsun, A. Sklenar, P.E. Shepeliavyi. J. Non-Cryst. Sol., 270, 129 (2000)
- А.И, Стецун. ФТП, 37 (10), 1197 (2003)
- В.Б. Фикс. Ионная проводимость в металлах и полупроводниках (М., Наука, 1969)
- В.Н. Чеботин, М.В. Перфильев. Электрохимия твердых электролитов (М., Химия, 1978)
- Е.А. Укше, Н.Г. Букун. Твердые электролиты (М., Наука, 1977)
- A. Feltz. J. Non-Cryst. Sol., 90, 545 (1987)
- K. Funke. J. Non-Cryst. Sol., 172, 1215 (1994)
- A. Pradel, M. Ribes. J. Non-Cryst. Sol., 172, 1315 (1994)
- А. Лидьярд. Ионная проводимость в кристаллах (М., Иностр. лит., 1962)
- А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы (М., Энергоатомиздат, 1987)
- А.И. Стецун. Патент Украины на полезную модель N 31004. Промышленная собственность [Бюл. N 6 (2008)]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
