Вышедшие номера
Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки высотой 1.1 эВ
Иванов П.А.1, Грехов И.В.1, Коньков О.И.1, Потапов А.С.1, Самсонова Т.П.1, Семенов Т.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 марта 2011 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.

Измерены и проанализированы вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки высотой ~1.1 эВ. Прямые вольт-амперные характеристики в диапазоне температур 295-470 K оказались близкими к "идеальным". Обратные вольт-амперные характеристики при напряжениях до 2 кВ в диапазоне температур 361-470 K хорошо описываются в модели термоэлектронной эмиссии, если дополнительно учесть понижение высоты барьера с ростом изгиба зон в полупроводнике.