Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки высотой 1.1 эВ
Иванов П.А.1, Грехов И.В.1, Коньков О.И.1, Потапов А.С.1, Самсонова Т.П.1, Семенов Т.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 марта 2011 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.
Измерены и проанализированы вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки высотой ~1.1 эВ. Прямые вольт-амперные характеристики в диапазоне температур 295-470 K оказались близкими к "идеальным". Обратные вольт-амперные характеристики при напряжениях до 2 кВ в диапазоне температур 361-470 K хорошо описываются в модели термоэлектронной эмиссии, если дополнительно учесть понижение высоты барьера с ростом изгиба зон в полупроводнике.
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., 1984) т. 1
- П.А. Иванов, И.В. Грехов, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова, Н.Д. Ильинская, О.И. Коньков, О.Ю. Серебренникова. ФТП, 44, 680 (2010)
- R.T. Tung. Phys. Rev. B, 45, 13509 (1992)
- F.A. Padovani, R. Stratton. Sol. St. Electron., 9, 695 (1966)
- П.А. Иванов, М.Е. Левинштейн, Т.Т. Мнацаканов, J.W. Palmour, A.K. Agarwal. ФТП, 39, 897 (2005)
- Э.Х. Родерик. Контакты металл--полупроводник (М., 1982)
- Н.С. Card, E.H. Rhoderick. Sol. St. Electron., 16, 365 (1973)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
