В спектре фотолюминесценции пленок SiO_x (x~ 1.3), нанесенных термическим испарением SiO и отожженных на воздухе при 650-1150^oC, обнаружена полоса с максимумом при 890 нм. Эта полоса появляется после низкотемпературного (~650^oC) отжига и имеет следующие особенности: 1) положение ее максимума не изменяется при повышении температуры отжига до 1150^oC, а интенсивность при этом возрастает в ~100 раз; 2) влияние на ее интенсивность атмосферы отжига (воздух, вакуум), длины волны и плотности мощности возбуждающего света иное, чем для наблюдаемых известных полос в области 600-650 и 700-800 нм; 3) фотолюминесценция затухает вначале быстро, а затем значительно медленнее с соответствующим временем жизни ~9 и ~70 мкс. Выявленные особенности не согласуются с интерпретацией наблюдавшейся до сих пор фотолюминесценции пленок SiO_x, а именно: рекомбинационные переходы "зона-дефекты матрицы" и между хвостами зонных состояний, фотолюминесценция нанокластеров Si, внутриионные переходы в примесных редкоземельных ионах. Поэтому рассматривается возможность объяснения полосы 890 нм переходами в локальных центрах с двух- и(или) трех-координированными по кислороду ионами Si, т. е. так, как объясняют люминесценцию стекол и пленок SiO₂ с небольшим дефицитом кислорода.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.