Вышедшие номера
Осцилляции Шубникова-де-Гааза и де-Гааза-ван Альфена в кремниевых наноструктурах
Баграев Н.Т.1, Брилинская Е.С.2, Гец Д.С.1, Клячкин Л.Е.1, Маляренко А.М.1, Романов В.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 мая 2011 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2011 г.

Зависимости продольного сопротивления и статической магнитной восприимчивости от магнитного поля, перпендикулярного плоскости сверхузкой кремниевой квантовой, ограниченной delta-барьерами, сильно легированными бором, демонстрируют соответственно осцилляции Шубникова-де-Гааза и де-Гааза-ван Альфена при высоких температурах в слабых магнитных полях. Полученные результаты свидетельствуют о реализации в этих условиях приближения сильного поля, mu B>>1, благодаря малой эффективной массе двумерных тяжелых дырок, что подтверждается измерениями температурных зависимостей осцилляций де-Гааза-ван Альфена.