Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние профиля легирования на характеристики ионно-легированного полевого GaAs-транзистора с затвором Шоттки
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Поступила в редакцию: 19 мая 2011 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2011 г.
Проведено моделирование арсенид-галлиевого ионно-легированного транзистора с затвором Шоттки. Найден профиль легирования, полученный при легировании через диэлектрическую маску, рассчитаны и проанализированы зависимости статических характеристик транзистора от параметров профиля легирования. Исследованы физические процессы, определяющие характеристики транзистора при изменении параметров его профиля легирования и коэффициента компенсации подложки. На основе расчетов предсказаны оптимальные параметры профиля легирования, которые обеспечивают наилучшие характеристки транзистора.
- Б.И. Селезнев, В.А. Дмитриев, А.П. Штейнгарт. Вестн. НовГУ, 19. 101 (2001)
- http://www.macomtech.com
- Полевые транзисторы на арсениде галлия, под ред. Д.В. Ди Лоренцо, Д.Д. Канделуола (М., Радио и связь, 1988). [Пер. с англ.: GaAs FET Principles and Technology, ed. by J.V. DiLorenzo, D.D. Khandelwal (Artech House Inc., 1982)]
- R. Anholt, T.W. Sigmon. IEEE Trans. Electron. Dev., 36 (2), 250 (1989)
- B.L. Sharma. Def. Sci. J., 39 (4), 353 (1989)
- R. Anholt, P. Balasingam, S.Y. Chou, T.W. Sigmon. J. Appl. Phys., 64 (7), 3429 (1988)
- А.Ю. Бончик, И.И. Ижин, С.Г. Кияк, Г.В. Савицкий. Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 3, 3 (2005)
- R. Anholt, T.W. Sigmon. J. Electron. Mater., 17 (1), 5 (1988)
- Tzu-Hung Chen, M.S. Shur. IEEE Trans. Electron., Dev., 32 (1), 18 (1985)
- M.B. Dutt, Ram Nat, R. Kumar, B.L. Sharma. IEEE Trans. Electron. Dev., 36 (4), 765 (1989)
- D. Pavlidis, J.-L. Cazaux, J. Graffeuil. IEEE Trans. Microwave Theory and Techniques, 36 (4), 642 (1988)
- TCAD Sentaurus Manual Version C-2009.06
- K. Blotekjaer. IEEE Trans. Electron. Dev., 17 (1), 38 (1970)
- А.М. Бобрешов, А.В. Дыбой, Ю.Н. Нестеренко, Ю.Ю. Разуваев. Вестн. ВГУ. Сер. Физика. Математика, N 1, 5 (2008)
- М.С. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия. [Пер. с англ. под ред. М.Е. Левинштейна и В.Е. Челнокова] (М., Мир, 1991)
- С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов, пер. с англ. под ред. Р.А. Суриса (М., Мир, 1984)
- Y. Wada, M. Tomizawa. IEEE Trans. Electron. Dev., 35 (11), 1765 (1989)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
