Вышедшие номера
Влияние профиля легирования на характеристики ионно-легированного полевого GaAs-транзистора с затвором Шоттки
Шестаков А.К.1, Журавлев К.С.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 19 мая 2011 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2011 г.

Проведено моделирование арсенид-галлиевого ионно-легированного транзистора с затвором Шоттки. Найден профиль легирования, полученный при легировании через диэлектрическую маску, рассчитаны и проанализированы зависимости статических характеристик транзистора от параметров профиля легирования. Исследованы физические процессы, определяющие характеристики транзистора при изменении параметров его профиля легирования и коэффициента компенсации подложки. На основе расчетов предсказаны оптимальные параметры профиля легирования, которые обеспечивают наилучшие характеристки транзистора.