Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние профиля легирования на характеристики ионно-легированного полевого GaAs-транзистора с затвором Шоттки

Шестаков А.К.¹, Журавлев К.С.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 19 мая 2011 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2011 г.

PDF версия

Проведено моделирование арсенид-галлиевого ионно-легированного транзистора с затвором Шоттки. Найден профиль легирования, полученный при легировании через диэлектрическую маску, рассчитаны и проанализированы зависимости статических характеристик транзистора от параметров профиля легирования. Исследованы физические процессы, определяющие характеристики транзистора при изменении параметров его профиля легирования и коэффициента компенсации подложки. На основе расчетов предсказаны оптимальные параметры профиля легирования, которые обеспечивают наилучшие характеристки транзистора.

Б.И. Селезнев, В.А. Дмитриев, А.П. Штейнгарт. Вестн. НовГУ, 19. 101 (2001)
http://www.macomtech.com
Полевые транзисторы на арсениде галлия, под ред. Д.В. Ди Лоренцо, Д.Д. Канделуола (М., Радио и связь, 1988). [Пер. с англ.: GaAs FET Principles and Technology, ed. by J.V. DiLorenzo, D.D. Khandelwal (Artech House Inc., 1982)]
R. Anholt, T.W. Sigmon. IEEE Trans. Electron. Dev., 36 (2), 250 (1989)
B.L. Sharma. Def. Sci. J., 39 (4), 353 (1989)
R. Anholt, P. Balasingam, S.Y. Chou, T.W. Sigmon. J. Appl. Phys., 64 (7), 3429 (1988)
А.Ю. Бончик, И.И. Ижин, С.Г. Кияк, Г.В. Савицкий. Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 3, 3 (2005)
R. Anholt, T.W. Sigmon. J. Electron. Mater., 17 (1), 5 (1988)
Tzu-Hung Chen, M.S. Shur. IEEE Trans. Electron., Dev., 32 (1), 18 (1985)
M.B. Dutt, Ram Nat, R. Kumar, B.L. Sharma. IEEE Trans. Electron. Dev., 36 (4), 765 (1989)
D. Pavlidis, J.-L. Cazaux, J. Graffeuil. IEEE Trans. Microwave Theory and Techniques, 36 (4), 642 (1988)
TCAD Sentaurus Manual Version C-2009.06
K. Blotekjaer. IEEE Trans. Electron. Dev., 17 (1), 38 (1970)
А.М. Бобрешов, А.В. Дыбой, Ю.Н. Нестеренко, Ю.Ю. Разуваев. Вестн. ВГУ. Сер. Физика. Математика, N 1, 5 (2008)
М.С. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия. [Пер. с англ. под ред. М.Е. Левинштейна и В.Е. Челнокова] (М., Мир, 1991)
С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов, пер. с англ. под ред. Р.А. Суриса (М., Мир, 1984)
Y. Wada, M. Tomizawa. IEEE Trans. Electron. Dev., 35 (11), 1765 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель