Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

An analytical gate tunneling current model for MOSFETs

Kazerouni Iman Abaspur¹, Hosseini Seyed Ebrahim¹

¹Electrical and Computer Department, Sabzevar Tarbiat Moallem University, Tohidshahr, Sabzevar, Iran

Поступила в редакцию: 14 сентября 2010 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 2012 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Gate tunneling current of MOSFETs is an important factor in modeling ultra small devices. In this paper, gate tunneling in present-generation MOSFETs is studied. In the proposed model, we calculate the electron wave function at the semiconductor-oxide interface and inversion charge by treating the inversion layer as a potential well, including some simplifying assumptions. Then we compute the gate tunneling current using the calculated wave function. The proposed model results have an excellent agreement with experimental results in the literature.

B. Majkusiak. IEEE Trans. Electron Dev., 37 (4), K1087, (1990)
S.M. Sze, K. Ng Kwok. Physics of Semiconductor Devices (John Wiley \& Sons, INC., 2007)
K.F. Schuegraf, C.C. King, C. Hu. Dig. Symp. VLSI, K18, (1992)
K.F. Schuegraf, C. Hu. IEEE Trans. Electron Dev., 41 (5), K761, (1994)
W.C. Lee, C. Hu. IEEE Trans. on Electron Dev., 48 (7), K1366, (2001)
C.H. Lin, J.B. Kuo. Solid State Electron, 53, K1191, (2009)
Xiaoyan Liu, Jinfeng Kang, Ruqi Han. Sol. St. Commun., 125, K219, (2003)
Imon Mondal, K. Aloke, K. Dutta. IEEE Trans. Electron. Dev., 55 (7), K1682, (2008)
M. Depas, B. Vermeire, P.W. Mertens, R.L. van Meirhaeghe, M.M. Heyns. Solid-State Electron., 38 (8), K1465, (1995)
Jin He, M. Chan, X. Zhang, Y. Wang. IEEE Trans. Electron. Dev., 53 (9), K2082, (2006)
Y.P. Tsividis. Operation and Modeling of the MOS Transistor, 2nd (ed. N.Y., McGraw-Hill, 1999)
A. Ghatak, S. Lokanathan. Quantum Mechanics: Theory and Application 5th ed. (New Delhi, India; McMillan, 2004)
R. Clerc, P. O'Sullivan, K.G. McCarthy, G. Ghibaudo, G. Panankakis, A. Mathewson. Solid-State Electron., 45 (10), K1705, (2001)
R. Clerc, G. Ghibaudo, G. Panankakis. Solid State Electron., 46 (7), K1039, (2002)
F. Stern. Phys. Rev. B, Condens; Matter, 5 (12), K4891, (1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель