Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Работа полупроводникового прерывателя при сверхвысоких плотностях тока

Любутин С.К.¹, Рукин С.Н.¹, Словиковский Б.Г.¹, Цыранов С.Н.^1,2

¹Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия Institute of Electrophysics of the Ural Branch of the Russian Academy of Sciences, Yekaterinburg, Russia

Institute of Electrophysics of the Ural Branch of the Russian Academy of Sciences, Yekaterinburg, Russia

²Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия Ural Federal University after the first President of Russia B.N. Yeltsin, Yekaterinburg, Russia

Ural Federal University after the first President of Russia B.N. Yeltsin, Yekaterinburg, Russia

Поступила в редакцию: 6 сентября 2011 г.

Выставление онлайн: 20 марта 2012 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследован механизм работы полупроводникового прерывателя тока (SOS-диода) при плотности обрываемого тока в десятки кА/см². В эксперименте максимальная плотность обратного тока достигала 43 кА/см² за время ~40 нс. Приведены экспериментальные данные для SOS-диодов со структурой p⁺-p-n-n⁺ с глубиной залегания p-n-перехода от 145 до 180 мкм. Методами численного моделирования исследованы процессы динамики электронно-дырочной плазмы в диоде на стадиях накачки и обрыва тока. Показано, что обрыв тока связан с образованием области сильного электрического поля в тонком (~45 мкм) слое высоколегированной p-области структуры, в котором концентрация акцепторов превышает 10¹⁶ см^-3, а процесс обрыва тока слабо зависит от глубины залегания p-n-перехода.

С.Н. Рукин. ПТЭ, N 4, 5 (1999)
И.В. Грехов, Г.А. Месяц. УФН, 175 (7), 735 (2005)
С.А. Дарзнек, Г.А. Месяц, С.Н. Рукин. ЖТФ, 67 (10), 64 (1997)
С.А. Дарзнек, С.Н. Рукин, С.Н. Цыранов. ЖТФ, 70 (4), 56 (2000)
С.Н. Рукин, С.Н. Цыранов. Письма ЖТФ, 30 (1), 43 (2004)
И.В. Грехов, А.С. Кюрегян. ЖТФ, 75 (7), 88 (2005)
С.Н. Рукин, С.Н. Цыранов. ФТП, 43 (7), 989 (2009)
S. Selberherr. Analysis and Simulation of Semiconductor Devices (Vienna, Springer--Verlag, 1984) ch. 4, p. 80
R. Ghosh, S.K. Roy. Sol. St. Electron., 18 (11), 945 (1975)
M.E. Law, E. Solley, M. Liang, D. Burk. IEEE Electron. Dev. Lett., 12 (8), 401 (1991)
D.L. Scharfetter, H.K. Gummel. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-16 (1), 64 (1969)
H. Benda, E. Spenke. Proc. IEEE, 55 (8), 1331 (1967)
T.T. Mnatsakanov, I.L. Rostovtsev, N.I. Philatov. Sol. St. Electron., 30 (6), 579 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель