Низкотемпературные (77-300 K) вольт-амперные характеристики p+-p-n+-диодов на основе 4H-SiC: влияние примесного пробоя в p-базе
Иванов П.А.1, Потапов А.С.1, Самсонова Т.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 октября 2011 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2012 г.
Исследовано влияние примесного пробоя на вольт-амперные характеристики 4H-SiC диодов с p-базой в диапазоне температур 77-300 K. Для изготовления экспериментальных образцов использовались коммерческие эпитаксиальные 4H-SiC p+-p-n+-структуры, выращенные CVD эпитаксией. Сильное электрическое поле в p-базе создавалось при смещении диодов в прямом направлении. Обнаружено, что при температурах 136, 89 и 81 K вслед за обычным "диодным" участком на вольт-амперной характеристике проявляется участок, где ток растет быстрее за счет ударной ионизации вымороженных акцепторных атомов Al, находящихся в основном (невозбужденном) состоянии. При температурах 81 и 77 K вслед за этим участком наблюдается участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением - регенеративное переключение диода за счет ударной ионизации атомов алюминия, находящихся в возбужденном состоянии.
- С.Г. Павлов. Автореф. докт. дис. (Н. Новгород, Ин-т физики микроструктур РАН, 2010). http://ipmras.ru/UserFiles/ Diss/Pavlov\_SG.pdf
- П.А. Иванов, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова. ФТП, 44 (7), 902 (2010)
- S.H. Koenig, R.D. Brown, W. Schillinger. Phys. Rev., 128, 1668 (1962)
- R.A. Reynolds. Sol. St. Electron., 11, 385 (1968)
- E.H. Putley. Semicond. Semimet., 1, 289 (1966)
- R.P. Khosla, J.R. Fischer, B.C. Burkey. Phys. Rev. B, 7, 2551 (1973)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
