Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Формирование анодных слоев на InAs(111)A. Исследование химического состава

Валишева Н.А.¹, Терещенко О.Е.^1,2, Просвирин И.П.³, Калинкин А.В.³, Голяшов В.А.², Левцова Т.А.¹, Бухтияров В.И.³

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

³Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск, Россия Boreskov Institute of Catalysis, Siberian Branch of RAS, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 25 августа 2011 г.

Выставление онлайн: 20 марта 2012 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии изучен химический состав анодных слоев (толщиной ~ 20 нм), выращенных на InAs(111)A в щелочном и кислотном электролитах, не содержащих и содержащих NH₄F. Показано, что состав фторсодержащих слоев определяется соотношением концентраций ионов фтора и гидроксилов в электролите, а также процессами диффузии, протекающими в растущем слое. Фтор накапливается на границе раздела анодный слой/InAs. Окисление InAs в кислотном электролите с низкой концентрацией кислорода и высокой концентрацией NH₄F приводит к формированию анодных слоев с высоким содержанием фтора, элементного мышьяка и образованию бескислородной границы раздела InF_x/InAs. Фторсодержащие слои, выращенные в щелочном электролите с высокой концентрацией O^2- и(или) OH^--групп, содержат примерно в 3 раза меньше фтора и состоят из оксифторидов индия и мышьяка. Не выявлено различия в составе слоев, выращенных в обоих электролитах без фтора.

S. Sinharoy. Thin Sol. Films, 187 (2), 231 (1990)
Н.Н. Берченко, Ю.В. Медведев. Успехи химии, 63 (8), 655 (1994)
В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев. ФТП, 32 (11), 1281 (1998)
H. Hasegawa, M. Akazawa. Appl. Surf. Sci., 254 (24), 8005 (2008)
Н.А. Валишева, Н.А. Корнюшкин, Г.Л. Курышев, А.П. Ковчавцев. ФТП, 30 (5), 914 (1996)
Н.А. Валишева, А.А. Гузев, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, Т.А. Левцова, З.В. Панова. Микроэлектроника, 38 (2), 99 (2009)
N.A. Valisheva, O.E. Tereshchenko, I.P. Prosvirin, T.A. Levtsova, E.E. Rodjakina, A.P. Kovchavtsev. Appl. Surf. Sci., 256, 5722 (2010)
O.E. Tereshchenko, D. Paget, A.C.H. Rowe, V.L. Berkovits, P. Chiaradia, B.P. Doyle, S. Nannarone. Surf. Sci., 603, 518 (2009)
R.D. Shannon. Acta Crystallogr., A32, 751 (1976)
Л.Т. Бугаенко, С.М. Рябых, А.Л. Бугаенко. Вестн. МГУ. Сер. 2. Химия, 49 (6), 363 (2008)
Фтор и его соединения, под ред. Дж. Саймонса (М., Изд-во иностр. лит., 1953) т. 1, с. 39, 91
P. Schmuki, R.J. Hussey, G.I. Sproule, Y. Tao, Z.R. Wasilewski, J.P. McCaffrey, M.J. Graham. Corrosion Sci., 41 (8), 1467 (1999)
А.Г. Бетехтин. Курс минералогии (М., Гос. изд-во геол. лит., 1951) с. 267
С.П. Яценко. Индий. Свойства и применение (М., Наука, 1987) с. 12
С.Л. Григорович, А.С. Волков, А.П. Лоцман, А.К. Афанасьев. Электрон. техн. Материалы, N 3 (152), 39 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель