Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2012, выпуск 5 » Статья стр. 665
<<<>>>
Эффекты латерального упорядочения самоорганизованных наноостровков SiGe, выращенных на напряженных буферных слоях Si1-xGex
Стрельчук В.В.1, Николенко А.С.1, Литвин П.М.1, Кладько В.П.1, Гудыменко А.И.1, Валах М.Я.1, Красильник З.Ф.2, Лобанов Д.Н.2, Новиков А.В.2
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 15 ноября 2011 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2012 г.
PDF версия
Методами атомно-силовой микроскопии, микро-спектроскопии комбинационного рассеяния света и высокоразрешающей рентгеновской дифракции исследованы особенности пространственного упорядочения наноостровков SiGe в однослойных структурах, сформированных на напряженном буферном подслое Si1-xGex. Показано, что рост наноостровков на подслое Si1-xGex не только стимулирует эффект их пространственного упорядочения, но и усиливает роль интердиффузионных процессов. Наблюдаемое необычно высокое увеличение объема островков в процессе эпитаксии связано с индуцированной неоднородным полем упругих деформаций аномально сильной диффузией материала из буферного подслоя в островки. Анизотропия формы и пространственного упорядочения островков обсуждается как следствие анизотропии диффузионных процессов в поле пространственно-неоднородных упругих напряжений.
  1. J. Philips. J. Appl. Phys., 91, 4590 (2002)
  2. V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Epitaxy of Nanostructures. Ser. NanoScience and Technology (Springer, 2004) p. 387
  3. D. Leonard, M. Krishnamorthy, C.M. Reaves, S.P. Denbaars, P.M. Petroff. Appl. Phys. Lett., 63, 3203 (1993)
  4. G. Abstreiter, P. Schittenhelm, C. Engel, E. Silveira, A. Zrenner, D. Meertens, W. Jager. Semicond. Sci. Technol., 11, 1521 (1996)
  5. A. Bernardi, M.I. Alonso, A.R. Goni, J.O. Osso, M. Garriga. Appl. Phys. Lett., 89, 101921 (2006)
  6. Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков, Л.В. Соколов. ФТП, 37, 513 (2003)
  7. Z. Zhong, H. Lichtenberger, G. Chen, M. Muhlberger, C. Schelling, J. Myslivecek, A. Halilovic, J. Stangl, G. Bauer, W. Jantsch, F. Schaffler. Microelectron. Engin., 83, 1730 (2006)
  8. I. Berbezier, M. Descoins, B. Ismail, H. Maaref, A. Ronda. J. Appl. Phys., 98, 063517 (2005)
  9. D.N. Lobanov, A.V. Novikov, N.V. Vostokov, Y.N. Drozdov, A.N. Yablonskiy, Z.F. Krasilnik, M. Stoffel, U. Denker, O.G. Schmidt. Optical Mater., 27, 818 (2005)
  10. Н.В. Востоков, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, А.Н. Яблонский. ФТТ, 41, 29 (2005)
  11. Д.В. Юрасов, Ю.Н. Дроздов. ФТП, 42 (5), 579 (2008). [Semiconductors, 42, 563 (2008)]
  12. D.V. Yurasov, Yu.N. Drozdov, M.V. Shaleev, A.V. Novikov. Appl. Phys. Lett., 95, 151902 (2009)
  13. M.Ya. Valakh, P.M. Lytvyn, A.S. Nikolenko, V.V. Strelchuk, Z.F. Krasilnik, D.N. Lobanov, A.V. Novikov. Appl. Phys. Lett., 96, 141909 (2010)
  14. Н.В. Востоков, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, А.Н. Яблонский, M. Stoffel, U. Denker, O.G. Schmidt, О.М. Горбенко, И.П. Сошников. ФТТ, 47 (1), 29 (2005). [Phys. Sol. St., 47, 26 (2005)]
  15. Я.Е. Гегузин. УФН, 149, 149 (1986). [Soviet Physics Uspekhi, 29, 467 (1986)]
  16. A. Bernardi, M.I. Alonso, J.S. Reparaz, A.R. Goni, P.D. Lacharmoise, J.O. Osso, M. Garriga. Nanotechnology, 18, 475401 (2007)
  17. M.I. Alonso, M. de la Calle, J.O. Osso, M. Garriga, A.R. Goni. J. Appl. Phys., 98, 033530 (2005)
  18. J.S. Reparaz, A. Bernardi, A.R. Goni, M.I. Alonso, M. Garriga. Appl. Phys. Lett., 92, 081909 (2008)
  19. V.S. Lysenko, Yu.V. Gomeniuk, V.V. Strelchuk, A.S. Nikolenko, S.V. Kondratenko, Yu.N. Kozyrev, M.Yu. Rubezhanska, C. Teichert. Phys. Rev. B, 84, 115425 (2011)
  20. V.P. Klad'ko, L.I. Datsenko, J. Bak-Misiuk, S.I. Olikhovskii, V.F. Machulin, I.V. Prokopenko, V.B. Molodkin, Z.V. Maksimenko. J. Phys. D: Appl. Phys., 34, A87 (2001)
  21. O. Yefanov, V. Kladko, O. Gudymenko, V. Strelchuk, Yu. Mazur, Zh. Wang, G. Salamo. Phys. Status Solidi A, 203, 154 (2006)
  22. Yu.I. Mazur, Z.M. Wang, G.J. Salamo, V.V. Strelchuk, V.P. Kladko, V.F. Machulin, M.Ya. Valakh, M.O. Manasreh. J. Appl. Phys., 99, 023517 (2006)
  23. J. Stangl, V. Holy, G. Bauer. Rev. Mod. Phys., 76, 725 (2004)
  24. G. Springholz, V. Holy, M. Pinczolits, G. Bauer. Science, 282, 734 (1998)
  25. V. Kladko, M. Slobodian, P. Lytvyn, V. Strelchuk, Yu. Mazur, E. Marega, M. Hussein, G. Salamo. Phys. Status Solidi A, 206, 1748 (2009)
  26. V. Holy, A.A. Darhuber, J. Stangl, G. Bauer, J. Nutzeland, G. Abstreiter. Phys. Rev. B, 57, 12435 (1998)
  27. R.M. Tromp, F.M. Ross, M.C. Reuter. Phys. Rev. Lett., 84, 4641 (2000)
  28. A. Sanz-Hervas, M. Aguilar, J.L. Sanchez-Rojas, A. Sacedon, E. Calleja, E. Munoz, C. Villar, E.J. Abril, M. Lopez. J. Appl. Phys., 82, 3297 (1997)
  29. Y.H. Phang, C. Teichert, M.G. Lagally, L.J. Peticolos, J.C. Bean, E. Kasper. Phys. Rev. B, 50, 14435 (1994)
  30. P. Sutter, M.G. Lagally. Phys. Rev. Lett., 84, 4637 (2000)
  31. M. Meduna, V. Holy, T. Roch, G. Bauer, O.G. Schmidt, K. Eberl. J. Phys. D: Appl. Phys., 34, A193 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme