Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Радиационно-стимулированная деградация поверхности GaAs и транзисторных структур с высокой подвижностью электронов

Бобыль А.В.¹, Конников С.Г.¹, Устинов В.М.¹, Байдакова М.В.¹, Малеев Н.А.¹, Саксеев Д.А.¹, Конакова Р.В.², Миленин В.В.², Прокопенко И.В.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Поступила в редакцию: 8 декабря 2011 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2012 г.

PDF версия

Проведены исследования транзисторных гетероструктур с высокой подвижностью носителей тока. Показано, что при увеличении дозы gamma-облучения Phi их деградация включает следующую последовательность. 1) При Phi<10⁷ рад наблюдается разрушение приповерхностного слоя GaAs глубиной до 10 нм за счет уменьшения энергии диффузии собственных дефектов на величину более 0.2 эВ и, вероятно, атмосферного кислорода. 2) При Phi>10⁷ рад вблизи микродефектов, дислокаций формируются области размером более 1 мкм со значительным структурным беспорядком. 3) При Phi>10⁸ рад происходит деградация внутренних интерфейсов AlGaAs/InGaAs/GaAs и рабочего канала. Эффективным способом исследования процессов разрушении гетероструктур является использование комплекса методик структурной диагностики, изучение процессов радиационной и временной деградации в сочетании с теоретическим моделированием протекающих процессов.

А.В. Бобыль, Р.В. Конакова, В.К. Кононов, В.Г. Миленин, М.М. Малышев, И.В. Прокопенко, М.И. Слуцкий, Ю.А. Тхорик. Электрон. техн., сер. Управление качеством, вып. 4 (151), 31 (1992)
A.E. Belyaev, J. Breza, E.F. Venger, M. Vesely, I.Yu. Il'in, R.V. Konakova, J. Liday, V.G. Lyapin, V.V. Milenin, I.V. Prokopenko, Yu.A. Tkhorik. Radiantion Resistance of GaAs- Based Microwave Schottky Barrier Devices. Some physico-technological aspects (Kiev, Interpres Ltd., 1998)
C. Claeys, E. Simoen. Radiation Effects in Advanced Semiconductor Materials and Devices (Springer Verlag, 2002)
А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, Ю.Н. Свешников, В.Н. Шеремет. ФТП, 44 (4), 467 (2010)
А.В. Бобыль, А.А. Гуткин, П.Н. Брунков, И.А. Заморянская, М.А. Яговкина, Ю.Г. Мусихин, Д.А. Саксеев, С.Г. Конников, Н.А. Малеев, В.М. Устинов, П.С. Копьёв, В.Т. Пунин, Р.И. Илькаев, Ж.И. Алфёров. ФТП, 40 (6), 707 (2006)
Р.В. Конакова, В.В. Миленин, М.А. Стовповой. Петербургский журн. электроники, 4 (16), 16 (2002)
J. Breza, M. Vesely, I.Yu. Il'in, K.A. Ismailov, R.V. Konakova, J. Liday, Yu.A. Tkhorik, L.S. Khazan. Proc. Int. Symp. on Recent Advances in Microwave Technology (ISRAMT-95), ed. by B.S. Rawat, K.S. Sunduchkov (Kiev, 1995) v. 3, p. 844
M.J. O'Laughlin. IEEE Trans. Nucl. Sci., 34 (6), 1808 (1987)
А.П. Мамонтов, И.П. Чернов. Эффект малых доз ионизирующего излучения (М., Энергоатомиздат, 2001)
Д.К. Боуэн, Б.К. Таннер. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография (СПб., Наука, 2002)
М. Шур. Современные приборы на основ арсенида галлия (М., Мир, 1991)
Ю. Бреза, П.И. Диденко, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, Г.Ф. Романова. ЖТФ, 65 (5), 122 (1995)
V.M. Bermudez. J. Appl. Phys., 54 (11), 6795 (1983)
Ю.В. Трушин. Радиационные процессы в многокомпонентных материалах ( теория и компьютерное моделирование) (СПб., ФТИ им. Иоффе, 2002)
В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1981)
B.E. Deal, A.S. Grove. J. Appl. Phys., 36, 3770 (1965)
С. Зи. Технология СБИС (М., Мир, 1986) т. 1
A. Rim, R. Beserman. J. Appl. Phys., 74 (2), 897 (1993)
B. Koley, M. Dagenais, G. McLane, D. Stone. J. Appl. Phys., 82 (9), 4586 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель