Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2012, выпуск 7 » Статья стр. 984
<<<
Влияние концентрации олова на состав, оптические и электрические свойства пленок ITO, осажденных методом ультразвукового спрей-пиролиза на кремний и стекло
Унтила Г.Г.1, Кост Т.Н.1, Чеботарева А.Б.1, Тимофеев М.А.1
1Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 21 декабря 2011 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2012 г.
PDF версия
С целью оптимизации свойств легированного оловом оксида индия (ITO) применительно к кремниевым солнечным элементам осаждали пленки толщиной ~100 нм методом ультразвукового спрей-пиролиза при температуре 380oC в аргоне на подложки (nn+)-Cz-Si и стекла, варьируя относительное содержание Sn и In в пленкообразующем растворе в диапазоне Sn/In=0-12 ат%. Оптимальные параметры показали пленки, полученные при Sn/In=2-3 ат% в растворе (в пленке Sn/(In+Sn)=5.2-5.3 ат%): эффективное поглощение пленок на стекле, взвешенное по солнечному спектру в диапазоне длин волн 300-1100 нм, составило 1.6-2.1%, слоевое сопротивление пленок на кремнии Rs=45-55 Ом/#, пленок на стекле Rs=165-175 Ом/#. Через 8 месяцев хранения на воздухе Rs оптимальных пленок не изменилось, Rs остальных пленок выросло: для пленок на кремнии до 2 раз, на стекле до 14 раз.
  1. Г.Г. Унтила, М.Б. Закс. Теплоэнергетика, 11, 47 (2011). [Thermal Engin. 58, 932 (2011)]
  2. T. Kinoshita, D. Fujishima, A. Yano, A. Ogane, S. Tohoda, K. Matsuyama, Y. Nakamura, N. Tokuoka, H. Kanno, H. Sakata, M. Taguchi, E. Maruyama. Proc. 26th Eur. Photovolt. Solar Energy Conf. (Hamburg, 2011) p. 871
  3. D.L. Batzner, H. Windgassen, L. Janssen, M. Scherff, A.G. Ulyashin, T.M. Pletzer, H. Kurz. Proc. 23rd Eur. Photovolt. Solar Energy Conf. (Valencia, 2008) p. 1514
  4. Г.Г. Унтила, Т.Н. Кост, А.Б. Чеботарева, М.Б. Закс, А.М. Ситников, О.И. Солодуха. ФТП, 39, 1393 (2005). [Semiconductors, 39, 1346 (2005)]
  5. T. Kost, G. Untila, A. Chebotareva, M. Zaks, A. Sitnikov, O. Solodukha, M. Shvarts. Proc. 25th Eur. Photovolt. Solar Energy Conf. (Valencia, 2010) p. 2588
  6. G. Untila, T. Kost, A. Chebotarva, M. Zaks, A. Sitnikov, O. Solodukha, M. Shvarts. Proc. 26th Eur. Photovolt. Solar Energy Conf. (Hamburg, 2011) p. 629
  7. G. Rupprecht. Z. Phys., 139, 504 (1954)
  8. T. Minami. Semicond. Sci. Technol., 20, S35 (2005)
  9. T. Minami, T. Miyata. Thin Sol. Films, 517, 1474 (2008)
  10. G. Haacke. J. Appl. Phys., 47, 4086 (1976)
  11. R.G. Gordon. MRS Bull., 25, 52 (2000)
  12. A.V. Moholkar, S.M. Pawar, K.Y. Rajpure, V. Ganesan, C.H. Bhosale. J. Alloys Comp., 464, 387 (2008)
  13. Z. Kana, E. Centurioni, D. Iencinella, C. Summonte. Thin Sol. Films, 500, 203 (2006)
  14. P. Nath, R.F. Bunshah, B.M. Basol, O.M. Staffsud. Thin Sol. Films, 72, 453 (1980)
  15. I.A. Rauf. J. Mater. Sci. Lett., 12, 1902 (1993)
  16. Y. Shigesato, D.C. Paine. Appl. Phys. Lett., 62, 1268 (1993)
  17. S. Ray, R. Banerjee, N. Basu, A.K. Batabyal, A.K. Barua. J. Appl. Phys., 54, 3497 (1983)
  18. Y. Sawada, C. Kobayashi, S. Sekia, H. Funakubo. Thin Sol. Films, 409, 46 (2002)
  19. H. Ohta, M. Orita, M. Hirano, H. Tanji, H. Kawazoe, H. Hosono. Appl. Phys. Lett., 76, 2740 (2000)
  20. Д.А. Зуев, А.А. Лотин, О.А. Новодворский, Ф.В. Лебедев, О.Д. Храмова, И.А. Петухов, Ф.Н. Путилин, А.Н. Шатохин, М.Н. Румянцева, А.М. Гаськов. ФТП, 46, 425 (2012)
  21. K. Maki, N. Komiya, A. Suzuki. Thin Sol. Films, 445, 224 (2003)
  22. M.J. Alam, D.C. Cameron. Thin Sol. Films, 420--421, 76 (2002)
  23. J.C. Manifacier, J.P. Fillard, J.M. Bind. Thin Sol. Films, 77, 67 (1981)
  24. G. Blandenet, M. Court, Y. Lagarde. Thin Sol. Films, 77, 81 (1981)
  25. Г.Г. Унтила, Т.Н. Кост, А.Б. Чеботарева, М.Б. Закс, А.М. Ситников, О.И. Солодуха. ФТП, 42, 415 (2008) [Semiconductors, 42, 406 (2008)]
  26. А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы: Теория и эксперимент (М., Энергоатомиздат, 1987) с. 171. [Пер. с англ.: A.L. Farenbruch, R.H. Bube. Fundamentals of solar cells. Photovoltaic solar energy conversion (N.Y., Academic Press, 1983)]
  27. D.A. Zuev, O.A. Novodvorsky, E.V. Khaydukov, O.D. Khramova, A.A. Lotin, L.S. Parshina, V.V. Rocheva, V.Y. Panchenko, V.V. Dvorkin, A.Y. Poroykov, G.G. Untila, A.B. Chebotareva, T.N. Kost, M.A. Timofeyev. Appl. Phys. B, 105, 545 (2011)
  28. L.A. Dobrzanski, A. Drygala, P. Panek, M. Lipinski, P. Zieba. Arhives of Mater. Sci. Engin., 38, 5 (2009)
  29. A. Chebotareva, G. Untila, T. Kost, S. Jorgensen, A.G. Ulyashin. Thin Sol. Films, 515, 8505 (2007)
  30. E. Benamar, M. Rami, C. Massaoudi, D. Sayah, A. Ennaoui. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 56, 125 (1999)
  31. J.C. Manifacier, L. Szepessy. Appl. Phys. Lett., 31, 459 (1977)
  32. H. Kobayashi, T. Ishida, Y. Nakato, H. Tsubomura. J. Appl. Phys., 69, 1736 (1991)
  33. Н.В. Суйковская. Химические методы получения тонких прозрачных пленок (Л., Химия, 1971) с. 70
  34. Т. Мосс, Г. Баррелл, Б. Эллис. Полупроводниковая оптоэлектроника (М., Мир, 1976) с. 90. [Пер. с англ.: T.S. Moss, G.J. Burrell, B. Ellis. Semiconductor Opto-Electronics (Butterworth \& Co. Ltd, 1973)]
  35. R.B. Hadj Tahar, T. Ban, Y. Ohya, Y. Takahashi. J. Appl. Phys., 83, 2631 (1998)
  36. N. Yamada, Y. Shigesato, I. Yasui, H. Li, Y. Ujihira, K. Nomura. Hyperfine Interactions, 112, 213 (1998)
  37. T. Ishida, H. Kouno, H. Kobayashi, Y. Nakato. J. Electrochem. Soc., 141, 1357 (1994)
  38. Y.-N. Kim, S.-M. Jeong, M.-S. Jeon, H.-G. Shin, J.-K. Song, H.-S. Le. J. Electroceram., 17, 955 (2006)
  39. M. Quaass, H. Steffen, R. Hippler, H. Wulff. Thin Sol. Films, 420--421, 306 (2002)
  40. H.P. Maruska, A.K. Ghosh, D.J. Eustace, T. Feng. J. Appl. Phys., 54, 2489 (1983)
  41. S.M. Goodnick, J.F. Wager, C.W. Wilmsen. J. Appl. Phys., 51, 527 (1980)
  42. W. Song, S.K. So, L. Cao. Appl. Phys. A, 72, 361 (2001).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme