Гетероструктуры со сверхрешетками GaAs/AlGaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии: особенности роста, оптические и транспортные характеристики
Байдусь Н.В.1, Бирюков А.А.1, Додин Е.П.2, Дроздов Ю.Н.2, Дроздов М.Н.2, Ноздрин Ю.Н.2, Андронов А.А.2
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 15 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2012 г.
-1 Представлены результаты исследований закономерностей роста сверхрешеток GaAs/AlGaAs с узкими запрещенными мини-зонами методом МОС-гидридной эпитаксии. Измерены спектры фотолюминесценции, рентгеновской дифракции, определены профили распределения компонентов методом вторично-ионной масс-спектрометрии, распределение концентраций носителей заряда методом емкостного профилирования. Изучена связь технологических режимов выращивания гетероструктур с их кристаллическими характеристиками, люминесцентными и электрофизическими свойствами. Измерения фотолюминесценции свидетельствуют о высоком качестве сверхрешеток. Рентгеновская дифракция и данные по вторичным ионам подтверждают высокую периодичность сверхрешеток, выращенных в оптимизированных режимах. На сверхрешетках, выращенных в оптимальных режимах роста, получена нелинейная вольт-амперная характеристика с областью отрицательной дифференциальной проводимости при умеренных напряжениях и последующим, при больших напряжениях, ростом тока из-за туннелирования между мини-зонами. В области отрицательной дифференциальной проводимости наблюдались колебания тока на частотах ~60 МГц. Отрицательная дифференциальная проводимость и осцилляции подтверждают наличие эффекта локализации электронов в умеренных электрических полях в первой мини-зоне проводимости, возникающей вследствие брэгговского отражения носителей в сверхрешетке.
- Karl Leo. High-Field Transport in Semiconductor Superlattices [Springer Tracts in Mod. PHys., v. 187]. (Springer-Verlag, Berlin Heidelberg, 2003)
- L. Esaki, R. Tsu. IBM J. Res. Dev., 14, 61 (1970)
- А.А. Андронов, Е.П. Додин, Д.И. Зинченко, Ю.Н. Ноздрин, А.А. Мармалюк, А.А. Падалица. Квант. электрон., 40 (5), 400 (2010)
- G.B. Stringfellow. Organometallic vapor-phase epitaxy: theory and practice, 2nd ed. (Academic Press, California, USA, 1999)
- В.И. Зубков. Приложение к журналу "Вестник РГРТУ", N 4, ISSN 1995-4565 (Рязань, 2009)
- P. Murugan, R. Pothiraj, S.D.D. Roy, K. Ramachandran. Bull. Mater. Sci., 25 (4), 335 (2002),
- А.А. Андронов, Е.П. Додин, Д.И. Зинченко, Ю.Н. Ноздрин. ФТП, 43 (2), 240 (2009).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
