Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2025
1
2
3
4
5
6
7
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2025, выпуск 7
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2025, том 59, выпуск 7
Международная конференция ФизикА.СПб, 20-24 октября 2025 г., Санкт-Петербург
Агекян В.Ф., Вербин С.Ю., Серов А.Ю., Философов Н.Г., Штром И.В.
Исследование температурной зависимости вклада экситонов и свободных носителей в люминесценцию гетероструктуры CdTe/CdMgTe
379
Чистяков В.В., Рябцев С.В., Аль-Хабиб А.А.К., Соловьев С.М., Турищев С.Ю.
Хемометрический анализ функционирования тонких пленок PdO в качестве химического сенсора на озон в атмосфере воздуха
383
Федосов И.С., Фоминых Н.А., Крыжановская Н.В., Махов И.С., Минтаиров С.А., Калюжный Н.А., Солодовник М.С., Черненко Н.Е., Шандыба Н.А., Жуков А.Е.
Исследование излучения микродискового лазера, монолитно интегрированного с оптическим волноводом
388
Толкачев И.А., Юферев В.С.
Преобразование субнаносекундных лазерных импульсов в электрический ток многопереходными фотопреобразователями: роль туннельных диодов
392
Шабунина Е.И., Шмидт Н.М., Черняков А.Е., Тальнишних Н.А., Закгейм А.Л., Иванов А.Е., Алексанян Л.А., Поляков А.Я.
Снижение внешней квантовой эффективности ультрафиолетовых светодиодов, вызванное перелегированием барьеров кремнием
397
Лунин Л.С., Лунина М.Л., Донская А.В.
Фотоэлектрические преобразователи на основе гетероструктур Al
0.1
Ga
0.2
In
0.7
Sb
0.2
P
0.8
/InP
402
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки
Лобанов Д.Н., Калинников М.А., Кудрявцев К.Е., Андреев Б.А., Юнин П.А., Новиков А.В., Скороходов Е.В., Красильник З.Ф.
Формирование планарных структур с InGaN-слоями для источников света красного диапазона длин волн
406
Улин В.П., Ли Г.В., Нащекин A.В., Берковиц В.Л.
Золото на поверхности кристаллов А
III
В
V
: эффекты каталитической диссоциации и анизотропного внедрения
414
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Орлов В.Г., Сергеев Г.С., Иванов А.А.
Моделирование свойств MgAgSb --- перспективного термоэлектрического материала для использования в области температур 300-600 K
423
Физика полупроводниковых приборов
Жукавин Р.Х., Фадеев М.А., Антонов А.В., Постнов Д.А., Ковалевский К.А., Морозов С.В., Дубинов А.А., Афоненко А.А., Ушаков Д.В., Павлов А.Ю., Пономарев Д.С., Хабибуллин Р.А., Гавриленко В.И.
Терагерцовый квантовый каскадный лазер в квантующем магнитном поле
433
Папылев Д.С., Новиков И.И., Андрюшкин В.В., Гладышев А.Г., Дюделев В.В., Карачинский Л.Я., Бабичев А.В., Няпшаев И.А., Егоров А.Ю., Соколовский Г.С.
Влияние морфологии подложек InP на шероховатость интерфейсов и дефектность гетероструктур квантово-каскадных лазеров
439
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2025
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme