Впервые изготовлен и исследован полевой транзистор на основе карбида кремния политипа 4H. Транзистор - n-канальный, с затвором в виде p⁺-n-перехода. Выходные характеристики хорошо соответствуют модели "плавного" канала, разработанной Шокли для полевого транзистора обедненного типа. Проведено сопоставление электрических параметров с параметрами аналогичного транзистора на основе карбида кремния политипа 6H: при сравнимых величинах управляющего поля затвора транзистор на SiC-4H превосходит по крутизне транзистор на SiC-6H за счет большей удельной электропроводности канала.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.