Приводятся результаты исследований плотности состояний g(varepsilon) "собственного" a-Si : H методом фотоиндуцированного тока, ограниченного пространственным зарядом, в структурах с барьером Шоттки. Показано, что в верхней половине щели подвижности E_g [varepsilon_c/(varepsilon_c-E_g/2)] g(varepsilon), определенная этим методом, совпадает с g(varepsilon), построенной как g(varepsilon_F) ряда псевдолегированных образцов (при изменяющемся положении уровня Ферми varepsilon_F). Показано также, что псевдолегирование связано с ростом величины g(varepsilon) в нижней половине щели подвижности [varepsilon_v/(varepsilon_v+E_g/2)].

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.