Изучено влияние бомбардировки на изменение объема приповерхностного слоя и микрорельефа поверхности Cd_xHg_1-xTe в зависимости от режимов и условий имплантации. Эти изменения объяснены с учетом двух факторов: вакансионного радиационно-стимулированного распухания и распыления. Обнаружено, что химическая природа бомбардирующих ионов влияет на геометрические размеры и плотность неоднородностей на поверхности Cd_xHg_1-xTe. Образующиеся в процессе имплантации Cd_xHg_1-xTe выступы и впадины значительно увеличивают коэффициент распыления, до десятков раз.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.