Индуцируемые током добавки в эффективной диэлектрической проницаемости неоднородных полупроводниковых сплавов
Васько Ф.Т.1, Солдатенко Ю.Н.1
1Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
Выставление онлайн: 19 марта 1993 г.
Вычислены анизотропные добавки к диэлектрической проницаемости, индуцируемые током электронов в неоднородном полупроводниковом сплаве и обусловленные пространственными флуктуациями эффективной массы, а также диэлектрической проницаемости в нем. Оценки для AlxGa1-xAs показывают, что такой механизм может доминировать в ИК диапазоне (интервал частот varepsilonG/h>>omega>>tau-1) при varepsilon<<varepsilonG (varepsilon и tau - средние энергия и время релаксации импульса, varepsilonG - ширина запрещенной зоны).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.