Представлены экспериментальные результаты впервые выполненных исследований фотоэлектрических процессов в поверхностно-барьерных структурах Au-n-GaP_xAs_1-x в линейно поляризованном излучении. Показано, что при наклонном падении излучения в структурах возникает поляриметрический эффект. Величина эффекта контролируется углом падения. Максимальный коэффициент фотоплеохроизма достигает 60-64 % и в области фоточувствительности остается практически постоянным. Для полученных структур характерна максимальная азимутальная фоточувствительность Phi_i=0.17-0.18 А/Вт · град, что свидетельствует о возможности их применения в поляризационной электронике.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.