При гелиевых температурах исследованы спектры фотолюминесценции (ФЛ) и n-1 экситонного отражения эпитаксиальных структур i-n^--, i-n^--n- и i-n^--n-n⁺-GaAs, выращенных МОС-гидридным способом, электронный тип проводимости которых достигался легированием Si. На некоторых эпитаксиальных слоях, имеющих множество поверхностных структурных дефектов, таких как: микропоры, микротрещины, овальные дефекты и др., собственная ФЛ проявляется в виде интенсивной одиночной полосы при 1.51514 эВ. Показано, что при затухании Gamma<Gamma_cr указанная полоса обусловлена люминесценцией поляритонов вблизи поверхности, а при Gamma>Gamma_cr - резонансной люминесценцией n-1 экситона.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.