Исследовано влияние примесей галогенов I, Br, Cl на перенос носителей заряда в халькогенидных стеклообразных полупроводниках состава Se_100-xAs_x c x=2/10. Установлено, что примеси Br и Cl при концентрации 10^-3/10^-2 ат% сильно увеличивают дрейфовую подвижность носителей заряда. Подвижность дырок возрастает на четыре порядка. При этом проводимость увеличивается на порядок и сохраняется высокая кристаллизационная устойчивость материала. Анализ экспериментальных данных показывает, что изменение концентрации собственных заряженных состояний, контролирующих величину дрейфовой подвижности, при введении примесей галогенов связано как с образованием примесных заряженных состояний, так и с уменьшением концентрации исходных нейтральных дефектов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.