Приведены результаты выполненных с применением компьютерного моделирования расчетов температурных полей в монокристаллах GaAs, выращиваемых в тонком слое расплава методом Киропулоса с жидкостной герметизацией (ТС-ЖГК). Показано, что с применением донного, бокового и погруженного во флюс дополнительного нагревателя ТС-ЖГК методом может быть выполнена кристаллизация слоя GaAs толщиной 0.5-1.0 мм в тигле большого (80-130 мм) диаметра в температурных полях с низкими значениями вертикальной (6-18 К/см) и радиальной (2-29 К/см) составляющих градиента температуры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.