Из исследований кинетики спада фотопроводимости и кинетики фотоемкости определены параметры уровней, возникающих при введении осмия в Si n- и p-типа проводимости. Идентифицированы два акцепторных уровня [E_c - 0.18 эВ и E_c - (0.53/0.56) эВ] в n-Si<Os>, а также донорный (E_v + 0.18 эВ) и акцепторный [E_c - (0.53/0.56) эВ] в p-Si<Os>. Найдены сечения захвата носителей заряда на уровни. Высказано предположение, что в образовании уровней участвуют комплексы осмия с первоначально введенной примесью (бор или фосфор).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.