Модуляционные спектры структур легированных квантовых ям GaAs-Al0.3Ga0.7As
Каваляускас Ю.1, Кривайте Г.1, Шаронова Л.В.1, Шилейка А.1, Шмарцев Ю.В.1
1Институт физики полупроводников Академии наук Литвы,, Вильнюс, Литва Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 декабря 1992 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1993 г.
Приведены результаты исследования спектров фотоответа, модулированного длиной волны фотоответа, а также фото- и электроотражения структур GaAs-Al0.3Ga0.7As с нелегированными и легированными Si до концентрации ND~ 1018 см-3 квантовыми ямами. На основе анализа формы пинии модуляционных спектров показано, что сигнал фотоотражения нелегированных квантовых ям обусловлен эффектом Штарка для экситонных оптических переходов, а природа спектров фото- и электроотражения легированных ям зависит от степени их заполнения электронами.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук