Исследованы радиационные дефекты, возникающие после дейтронного облучения в приемниках излучений на основе высокоомного n-Si. Проведено сравнение результатов дейтронного и alpha-облучений. Показана возможность снижения обратного тока облученных детекторов при отжиге. Обсуждается возможность объяснения наблюдаемых эффектов с помощью представлений о сложных многокомпонентных комплексах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.