Методом динамического конденсатора исследованы люкс-вольтовые характеристики (ЛВХ) стационарной поверхностной фотоэдс в n-GaAs и p-InP. Установлено, что на химически очищенных (свежестравленных) поверхностях параметр неидеальности ЛВХ (eta), характеризующий в единицах kT/e наклон ЛВХ, построенной в полулогарифмических координатах, близок к единице. Химико-механическая полировка поверхности приводила к увеличению eta в ~=2 раза. Эффект проявлялся при наличии инверсионных изгибов зон на поверхности и обусловлен влиянием на фотоэдс рекомбинационных процессов в приповерхностной области пространственного заряда.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.