При T=4.2 K исследованы спектры люминесценции эпитаксиальных слоев GaSs, легированных Si в широком диапазоне концентраций свободных носителей 10¹⁶/7.8·10¹⁸ см^-3. Наблюдаемая асимметричная полоса приписана процессам рекомбинации вырожденного электронного газа с локализованными фотодырками. Сделан вывод о том, что свойства электронного газа в сильно легированных полупроводниковых эпитаксиальных слоях GaAs определяются не столько видом легирующей примеси, сколько условиями выращивания.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.