Вычислены зависимости энергий уровней и сил осцилляторов дипольных оптических переходов из основного в нечетные возбужденные состояния мелкого акцептора, расположенного в центре сферической GaAs-квантовой точки от ее радиуса. В сферическом приближении эти зависимости найдены как функции отношения эффективных масс тяжелой и легкой дырки материала точки, что позволило, в частности, проследить переход к случаю мелкого водородоподобного донора. При малых радиусах точки практически все поглощение донора (~99%) приходится на переход 1s-2p. В рамках используемых приближений задача решена точно с помощью развитого авторами ранее алгебраического метода.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.